编辑:Holly 发布:2024-09-05 11:47
据韩媒报道,三星电子MX部门在8月向DS部门表达了对即将用于Galaxy S25系列手机的1b nm(12nm级)LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子自2023年5月启动1b nm工艺16Gb DDR5内存量产,并在同年9月发布1b nm 32Gb DDR5,一直在内部推进1b nm LPDDR移动内存产品的开发。
然而,据韩媒此前在今年6月11日的报道,三星电子的1b nm DRAM内存产品良率不足五成。最新的报道指出,DS部门本应在8月之前向MX部门供应一定规模的12Gb、16Gb容量1b nm LPDDR内存样品,用于Galaxy S25系列手机开发。但DS部门未能按时提供足够数量的样品。
知情人士透露,三星电子的1b nm LPDDR良率不及预期,影响了企业内部的供货时间表。MX部门已就此提出抗议,并正在重新审视Galaxy S25系列手机的DRAM供应计划。根据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。
这一良率问题可能会对三星电子即将推出的Galaxy S25系列手机的开发进度造成影响,MX部门和DS部门需要尽快解决这一问题,以确保新手机能够如期上市。三星电子作为全球领先的内存制造商,其产品的良率问题也引起了业界的广泛关注,市场将密切关注三星电子如何解决这一挑战。
存储原厂 |
三星电子 | 97900 | KRW | +0.20% |
SK海力士 | 465500 | KRW | +2.87% |
铠侠 | 6560 | JPY | -4.65% |
美光科技 | 202.380 | USD | -0.07% |
西部数据 | 126.200 | USD | +0.22% |
闪迪 | 140.160 | USD | -2.85% |
南亚科技 | 104.0 | TWD | +9.59% |
华邦电子 | 43.95 | TWD | -0.11% |
主控厂商 |
群联电子 | 850 | TWD | -1.16% |
慧荣科技 | 94.140 | USD | +1.93% |
联芸科技 | 57.10 | CNY | -3.35% |
点序 | 83.7 | TWD | -2.67% |
品牌/模组 |
江波龙 | 177.90 | CNY | -2.05% |
希捷科技 | 225.400 | USD | -0.28% |
宜鼎国际 | 413.0 | TWD | -3.50% |
创见资讯 | 133.0 | TWD | -4.66% |
威刚科技 | 188.0 | TWD | -0.27% |
世迈科技 | 21.740 | USD | -3.33% |
朗科科技 | 28.73 | CNY | -2.68% |
佰维存储 | 104.40 | CNY | -8.06% |
德明利 | 183.03 | CNY | -6.84% |
大为股份 | 20.28 | CNY | -2.87% |
封测厂商 |
华泰电子 | 46.80 | TWD | -1.78% |
力成 | 153.5 | TWD | -1.60% |
长电科技 | 39.50 | CNY | -5.32% |
日月光 | 196.0 | TWD | +2.35% |
通富微电 | 38.77 | CNY | -9.46% |
华天科技 | 12.96 | CNY | +10.02% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2