十铨表示，因消费性市场持续疲弱，需求并未如期回升，虽然合约市场将持续涨价，但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试，目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示，存储产业已回到健康状态，带动存储稼动率在第2季已达9成，第2季起DRAM代工客户需求强劲，NAND Flash需求也强，市场共识价格会逐步往上，力积电存储晶圆产能几乎全开。

LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。

据韩媒报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant（原SK建设）来优化其财务结构，此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始，Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露，SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4，目前正在研发层面进行商业可行性审查，并非立即引入和投资。

HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点，三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应，而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品，以应对市场需求。

海光信息发布公告，称经财务部门初步测算，预计2024年半年度实现营业收入与上年同期相比，将增加96,830.59 万元到 130,830.59 万元，同比增长 37.08%到 50.09%。

香农芯创表示，受益于行业复苏，存储芯片价格上涨以及下游客户对存储芯片需求增长，2024 年上半年收入增长约 80%。