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W25N01KW闪存在连续读取和顺序读取模式下的速度均高达52MB/秒,而快速启动和即开即用特性不仅有助于提升能效,还延长了设备的使用寿命。此外,W25N01KW闪存提供深度省电模式,待机功耗降低至1µA。

三星电子官员表示:“正如我们上个月在电话会议中所说的那样,质量测试一直在进行中,而且从那时起就没有任何变化。”

D7-PS1010和D7-PS1030均采用SK海力士176L 3D TLC NAND,并配备 PCIe 5.0 接口,提供 E3.S 和 U.2 两种规格可供选择。

根据诉状,三星电子制造智能手机微处理器和存储芯片的方法侵犯了哈佛大学教授罗伊·戈登发明的两项专利。

得益于优化的光路,该系统仅使用 20W 的 EUV 光源运行,总功耗不到 100kW。相比之下,传统的 EUV 光刻系统通常需要超过 1MW 的功率。由于功耗较低,新的光刻系统不需要复杂且昂贵的冷却系统。

产品结构方面,7月DRAM营收贡献48.22%,SSD占比33.1%,其他产品贡献18.68%;前7个月DRAM营收占比45.4%,SSD为27.43%,其他产品占比27.17%。

南亚科技表示,7月营收滑落至9个月来低点,透露DDR4库存仍处于高档,加上大陆地区需求比预期疲弱,影响单月营收表现。

价格更正:本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元,与上月持平。

SK海力士就美国印第安纳州半导体先进封装工厂的投资,基于美国《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act)将获得最高4.5亿美元的直接补助和最高5亿美元的贷款。与此同时,美国财政部决定为SK海力士提供在美国投...

业界认为,如果美国收紧出口管制,将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND,提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行,几乎不占用主机处理和内存资源。

鸿海预期,基于目前已经进入下半年旺季期间,第三季营运将会有季增及年增的表现。

单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元,容量为128GB,以及一层包含8,000 个神经元的神经电路。据 NEO 估计,每个芯片可支持高达 10 TB/s 的 AI 处理吞吐量。使用 12 个 3D X-AI 芯片与 HBM 封装堆叠可实现 120 TB/s 的处理吞吐量,从而将性能提高 100 倍。

此外,三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组,为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。

FADU表示,这份供应合同意义重大,意味着该司客户群从大型科技公司、SSD模组厂、NAND原厂扩展到服务器公司。

股市快讯 更新于: 10-20 10:26,数据存在延时

存储原厂
三星电子97550KRW-0.36%
SK海力士479000KRW+2.90%
铠侠7230JPY+10.21%
美光科技202.380USD-0.07%
西部数据126.200USD+0.22%
闪迪140.160USD-2.85%
南亚科技105.0TWD+0.96%
华邦电子44.55TWD+1.37%
主控厂商
群联电子846TWD-0.47%
慧荣科技94.140USD+1.93%
联芸科技55.90CNY-2.10%
点序80.2TWD-4.18%
品牌/模组
江波龙179.97CNY+1.16%
希捷科技225.400USD-0.28%
宜鼎国际409.5TWD-0.85%
创见资讯129.0TWD-3.01%
威刚科技186.5TWD-0.80%
世迈科技21.740USD-3.33%
朗科科技28.66CNY-0.24%
佰维存储106.81CNY+2.31%
德明利186.32CNY+1.80%
大为股份20.19CNY-0.44%
封测厂商
华泰电子47.90TWD+2.35%
力成154.0TWD+0.33%
长电科技40.28CNY+1.97%
日月光197.0TWD+0.51%
通富微电40.13CNY+3.51%
华天科技12.77CNY-1.47%