过去随着半导体先进制程的推进以及制程微缩，die size缩小，wafer用量减少，但现在由于封装变立体，结构变化，wafer数量提升，可见AI的发展趋势有利于wafer量的提升。

韩国6月半导体出口额为134.2亿美元，创历史新高，已连续8个月保持增势。韩国工信部将涨幅归因于存储芯片价格上涨，以及云计算和人工智能领域的强劲需求。

SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（82万亿韩元，约合595亿美元）投资于高带宽存储器（HBM）等AI相关领域。

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资，并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略，这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化，以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元（GPU）和高速内存等技术的看好。

武汉全球投资促进大会上宣布，武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金，专注于集成电路等重点产业，旨在3至5年内吸引3000亿元投资，推动产业升级和区域经济发展。

据韩媒报道，韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元（约合2亿美元），该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。

据韩媒报道，三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元（约合36亿美元），为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。

关系人士称，铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市，而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备，但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉，HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中，并发布具有浸入式冷却保证的产品。

韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元（约合2亿美元）用于半导体封装技术研发项目，目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。

据韩媒报道，业界人士透露，韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年，由于需求低迷，三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，今年开工率已上升至70%以上。