韩国9月半导体出口额为136亿美元，同比大增37.1%，连续11个月保持增势，且时隔三个月再创新高，打消了“半导体寒冬”的担忧。

TEL在其8月最新财测中，将2024年度合并营收上调至2.3万亿日圆的新高，同比增长25.6%。其中，AI芯片相关设备的销售成长，例如AI服务器芯片所需的HBM的设备需求增加，是其上调财测的重要因素。

适逢国庆假期，按国家规定放假7天，即10月1-7日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月8日（星期二）恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

由于纳米压印技术需使用软性材质的光刻胶材料，适合使用在规则性结构如DRAM和NAND FLASH，而逻辑芯片只有少部分的结构可以使用，因此纳米压印技术仍无法完全取代EUV微缩技术。

预计今年300mm晶圆厂设备支出将增长4%至 993 亿美元，并在 2025 年进一步增长 24% 至 1232 亿美元，首次超过 1000 亿美元。预计 2026 年支出将增长 11% 至 1362 亿美元，随后在 2027 年增长 3% 至 1408 亿美元。2025-2027年合计将支出超4000亿美元。

力积电将协助塔塔电子于印度古吉拉特邦(Gujarat)多雷拉(Dholera)建设全印度第一座12吋晶圆厂，并移转成熟制程技术以及培训印度员工。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。

8月包括出口在内的日本芯片制造设备销售额较前一个月增长了0.9%（2024年7月的最终值是3,480.92亿日元），与去年同期相比增长了22.0%（2023年8月为2,878.21亿日元），达3,510.58亿日元（约合24.4亿美元）。

今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

最新消息称，铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后，主因近期全球半导体类股表现疲弱，股价出现较大幅度下跌，铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。