NAND/DRAM新增投产产线有哪些？主要在哪些重点方向？

不同于此前阶段会出现的逆周期投资，在2023-2024年存储产业整体工厂建设情况较为冷清，处于减产和产能恢复时期。走过盲目扩张产能、以规模效应夯实竞争优势的野蛮生长阶段，存储产业逐渐走向精细化、聚焦先进技术和高价值产品等核心竞争力，技术优先、技术领先将成为主基调。因此，我们也可以看到在2025年及之后，各存储原厂的投资扩产重点将放在更尖端技术领域。

三星电子

三星电子NAND Flash主要生产基地位于韩国和中国西安，其DRAM生产基地位于韩国。其中三星电子在韩国平泽的存储器生产基地为全球最大的存储器生产基地，目前三星电子在平泽共建成有P1、P2、P3三座工厂，P4工厂预计将于今年年底完工，明年投产。据最新消息，三星电子已确定P4第一条生产线的投资方向，将同时量产NAND和DRAM。此外，P5工厂也正在建设中，不同于P1-P4各仅有四个洁净室，P5是一座拥有八个洁净室的大型晶圆厂，但P5的具体用途尚未确定，预测也将会是如P3/P4一样的混合工厂。

除新建工厂产线外，三星电子还在针对旧产线改造，如计划将P2工厂的DRAM生产线由生产1z DRAM改为1b DRAM或更尖端的DRAM产线。

SK海力士

同三星电子一样，SK海力士（包括Solidigm）的存储器生产基地主要分布在韩国和中国，其中NAND Flash生产基地位于韩国和中国大连，DRAM生产基地位于韩国和中国无锡。据悉，此前停止建设的位于韩国的M15X工厂已经恢复建设，计划于明年11月竣工并生产包括HBM在内的DRAM产品。

SK海力士在今年下半年也宣布，将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（约合595亿美元）投资于HBM等AI相关领域。

美光

美光的存储器生产基地主要分布在新加坡、日本、中国台湾还有美国，其中NAND Flash生产位于新加坡还有美国，DRAM生产位于中国台湾、日本和美国。

据悉，美光在中国台湾工厂将于2025年开始生产1γ DRAM，日本广岛工厂将于2026年开始生产。而其在美国新建的工厂预计在2026-2029年期间投产，爱达荷州晶圆厂预计2026年9月投产DRAM，纽约厂则计划2028年或之后上线。

铠侠/西部数据

铠侠和西部数据合资共建NAND Flash工厂，其主要生产基地位于日本的四日市和岩手县北上市。据悉，北上市的K2工厂已经于近日竣工，预计在2025年秋天投产。K2工厂将量产其最先进的BiCS8 218层3D NAND产品。尽管此前因市况不佳，K2的生产计划已经较最初推迟了一年半，但如果不尽快投产，已经建成的工厂将会遭遇巨大的设备折旧成本，这将对面临日本上市压力的铠侠还有处于业务分拆关键期的西部数据造成非常大的困扰。