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三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

因中国大陆地区销售大幅增长,带动2024年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长4%,达267.8亿美元,较第一季度的264.2亿美元微增1%。

南亚科技预计2025年底,1B制程月产能将超过20K片,而20nm旧制程月产能将下降至约36K片,1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务,并与广泛的生态系统合作伙伴一起,满足客户的不同需求。

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器(HBM3E),并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

近日有消息称,英特尔公司最新的18A制造工艺在博通公司的测试中未能达标。据悉,博通在测试后认为英特尔的这一工艺尚不可行,无法满足大批量生产的条件。目前,双方的合作关系及博通是否决定退出潜在的生产交易尚不明确。

据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。

按地区来看,美洲(40.1%)、中国(19.5%)和亚太/所有其他地区(16.7%)的销售额同比上涨,但日本(-0.8%)和欧洲(-12.0%)的销售额下降。

加入AMD后,Keith Strier将负责扩展公司的AI愿景,推动新的生态系统能力,并加速全球公共和私营部门的战略 AI 合作,他将向AMD执行副总裁兼首席技术官 Mark Papermaster汇报工作。

SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术,在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术,并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。

消息面上,美国8月ISM制造业指数和Markit制造业PMI数据均不及预期,显示制造业仍在收缩区间,加剧了市场对经济放缓的担忧。数据公布后,市场对美联储9月降息的预期升温,但降息幅度的预期有所变化,降息50个基点的可能性从30%提升至39%,而降息25个基点的概率回落至61%。

原本三星计划在平泽P4工厂分阶段建设存储产线和晶圆代工产线,但由于难以获得晶圆代工客户,因此调整了策略,优先发展存储产线。尽管P4一期产线即将投产,三期产线也在建设中,但二期和四期产线的建设计划已被推迟。

三星电子正在测试TEL的新型气体团簇束 (GCB) 设备,该设备用于改善极紫外 (EUV) 图案化。这一测试可能会改变先进EUV光刻技术的市场格局,目前由应用材料公司主导。

三星电子已将先进封装(AVP)业务团队重组为开发团队,并且正在积极招募具有丰富经验的模拟、设计和分析专业人员,以加强研发能力。

股市快讯 更新于: 09-09 15:54,数据存在延时

存储原厂
三星电子71500KRW+2.00%
SK海力士288000KRW+3.97%
铠侠3175JPY+0.79%
美光科技131.460USD+0.07%
西部数据93.290USD+1.36%
闪迪70.495USD+2.84%
南亚科技53.9TWD+0.75%
华邦电子24.55TWD-0.20%
主控厂商
群联电子550TWD+2.04%
慧荣科技84.850USD+3.00%
联芸科技45.15CNY-2.69%
点序55.1TWD-1.08%
品牌/模组
江波龙93.06CNY-4.01%
希捷科技189.240USD+0.57%
宜鼎国际336.0TWD+9.98%
创见资讯109.0TWD+2.35%
威刚科技113.0TWD+1.80%
世迈科技24.750USD-0.48%
朗科科技24.01CNY-4.08%
佰维存储68.41CNY-4.85%
德明利92.85CNY-3.00%
大为股份17.35CNY+1.23%
封测厂商
华泰电子43.70TWD-5.21%
力成126.0TWD-0.40%
长电科技36.61CNY-2.71%
日月光167.0TWD-2.62%
通富微电31.21CNY-5.34%
华天科技10.70CNY-2.37%