据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行产品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

招聘岗位共计800个，选定人员将在华城、器兴、平泽、天安、温阳、水原等地工作。这是自5月DS部门负责人全永铉就任以来的首次大规模招聘。

据韩媒报道，业界人士透露，三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。

CFM消息，近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来，服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势：DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企，整体需求表现惨淡；DDR5方面，随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高，需求激增，CFM消息，今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%，DDR5 64GB及以上需求持续火热，DDR5整体呈现供不应求市况。

三星电子正在由其先进封装（AVP）部门主导开发“3.3D先进半导体封装技术”。目标是2026年第二季度量产，应用于AI半导体芯片。

随着光刻机成本的不断攀升，设备成本已成为先进制程代工厂规划未来工艺时的关键考虑因素。

消息称台积电计划在全台湾地区建设至少八个基于2纳米工艺节点的半导体代工工厂，并计划于明年开始量产。

在生成式AI应用程序ChatGPT发布后，英伟达芯片需求大幅成长，同时也引发多个国家的监管审查。

随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长，HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年，三星虽暂时落后，但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革，满足未来市场需求。

美光科技（Micron）正式进入高带宽存储器（HBM）市场，打破了三星电子和海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者，但美光科技已经开始向英伟达（Nvidia）供应少量产品，形成了HBM领域的三足鼎立局面。

受惠日圆走贬、中国需求大增，带动日厂电子零件出货额续扬、创2年半来最大增幅。