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目前已采用RISC-V架构开发了包括半导体IP、SoC和可编程半导体(FPGA)在内的107种芯片,相关软件也变得越来越丰富。

根据投资建议,环球晶圆将在得克萨斯州、密苏里州等地建设工厂,生产300毫米硅晶圆。其中,90%的补贴金额将用于德州12吋厂,密苏里州厂占比较小,补贴金额根据建厂时程表,待政府单位检查确定后才会拨款。

P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。

作为创新性业务,定制化存储方案发展方向包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

据韩媒报道,三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。

ASML对 2024 年全年的展望保持不变,认为 2024 年是一个过渡年,将继续在产能提升和技术方面进行投资。目前看到人工智能的强劲发展,推动了大部分行业的复苏和增长,领先于其他细分市场。

十铨表示,因消费性市场持续疲弱,需求并未如期回升,虽然合约市场将持续涨价,但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示,存储产业已回到健康状态,带动存储稼动率在第2季已达9成,第2季起DRAM代工客户需求强劲,NAND Flash需求也强,市场共识价格会逐步往上,力积电存储晶圆产能几乎全开。

对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。

LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant(原SK建设)来优化其财务结构,此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右,性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能,从而提高AI功能的速度(如语音文本生成),而无需服务器或云访问。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始,Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

股市快讯 更新于: 06-07 18:05,数据存在延时

存储原厂
三星电子59100KRW+2.25%
SK海力士224500KRW+3.22%
铠侠2165JPY+2.32%
美光科技108.560USD+2.14%
西部数据55.450USD+0.73%
闪迪39.150USD+0.08%
南亚科技52.0TWD-0.95%
华邦电子18.35TWD+1.38%
主控厂商
群联电子535TWD+0.94%
慧荣科技67.080USD+0.90%
联芸科技38.46CNY+0.42%
点序64.7TWD+9.85%
品牌/模组
江波龙73.47CNY+1.48%
希捷科技126.970USD-0.57%
宜鼎国际244.5TWD+2.95%
创见资讯105.5TWD+1.93%
威刚科技99.0TWD+5.66%
世迈科技19.550USD+2.62%
朗科科技22.51CNY-0.18%
佰维存储61.96CNY+0.47%
德明利119.26CNY-2.94%
大为股份16.49CNY+10.01%
封测厂商
华泰电子40.40TWD-1.22%
力成125.0TWD+4.17%
长电科技32.94CNY-0.24%
日月光139.0TWD-0.36%
通富微电23.87CNY-0.42%
华天科技8.94CNY+0.11%