消息称三星电子平泽P4计划同时量产NAND和DRAM

据韩媒引述业界消息称，三星电子已确定平泽第四园区（P4）第一条生产线的投资方向，最近更改了生产线名称，并开始准备同时量产NAND和DRAM。

据了解，去年第三季度三星电子已将P4 Phase（Ph）1线名称从P4F更改为P4H。

F是代表Nand Flash的术语。H是Hybrid（混合）的缩写。这意味着PH1不再是仅生产NAND的生产线，而是同时生产NAND和DRAM。

具体来说，在P4H生产线中，已确定每月对NAND生产规模为1万片。今年中旬已进行每月5千片的投产，并计划到年底再增加每月5千片。

关于额外投资的走向，预计将在明年中旬左右揭晓。QLC（四层单元）V9 NAND等新一代NAND的量产准备已完成，但由于不确定的市场状况，计划已被推迟。

DRAM方面，三星电子计划生产1a（第五代10纳米级）和1b（第六代10纳米级）DRAM。目前，三星电子正在投资将其平泽园区现有的成熟制程DRAM转换为1a、1b等，包括P1、P2和P3，预计P4H将承担这些DRAM部分制造工艺的角色。

因此，在P4H投产的DRAM产能预计至少每月30,000至40,000片。