编辑:AWU 发布:2024-11-08 14:14
据韩媒引述业界消息称,三星电子已确定平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向,最近更改了生产线名称,并开始准备同时量产NAND和DRAM。
据了解,去年第三季度三星电子已将P4 Phase(Ph)1线名称从P4F更改为P4H。
F是代表Nand Flash的术语。H是Hybrid(混合)的缩写。这意味着PH1不再是仅生产NAND的生产线,而是同时生产NAND和DRAM。
具体来说,在P4H生产线中,已确定每月对NAND生产规模为1万片。今年中旬已进行每月5千片的投产,并计划到年底再增加每月5千片。
关于额外投资的走向,预计将在明年中旬左右揭晓。QLC(四层单元)V9 NAND等新一代NAND的量产准备已完成,但由于不确定的市场状况,计划已被推迟。
DRAM方面,三星电子计划生产1a(第五代10纳米级)和1b(第六代10纳米级)DRAM。目前,三星电子正在投资将其平泽园区现有的成熟制程DRAM转换为1a、1b等,包括P1、P2和P3,预计P4H将承担这些DRAM部分制造工艺的角色。
因此,在P4H投产的DRAM产能预计至少每月30,000至40,000片。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 102000 | KRW | +3.24% |
| SK海力士 | 535000 | KRW | +4.90% |
| 铠侠 | 9810 | JPY | +11.73% |
| 美光科技 | 219.020 | USD | +5.96% |
| 西部数据 | 129.430 | USD | +2.95% |
| 闪迪 | 186.160 | USD | +11.44% |
| 南亚科技 | 120.0 | TWD | +9.59% |
| 华邦电子 | 50.9 | TWD | +9.94% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 968 | TWD | +10.00% |
| 慧荣科技 | 99.130 | USD | +4.31% |
| 联芸科技 | 63.77 | CNY | +4.30% |
| 点序 | 81.9 | TWD | +3.02% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 266.00 | CNY | +19.82% |
| 希捷科技 | 234.120 | USD | +3.41% |
| 宜鼎国际 | 447.0 | TWD | +4.81% |
| 创见资讯 | 137.0 | TWD | +4.58% |
| 威刚科技 | 205.0 | TWD | +9.92% |
| 世迈科技 | 22.400 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 34.90 | CNY | +5.18% |
| 佰维存储 | 127.81 | CNY | +7.31% |
| 德明利 | 238.61 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 25.58 | CNY | +10.02% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 49.25 | TWD | +4.68% |
| 力成 | 160.5 | TWD | +7.00% |
| 长电科技 | 42.09 | CNY | +2.78% |
| 日月光 | 202.5 | TWD | +3.32% |
| 通富微电 | 43.94 | CNY | +4.92% |
| 华天科技 | 12.47 | CNY | +4.53% |
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