编辑:AWU 发布:2024-11-08 14:14
据韩媒引述业界消息称,三星电子已确定平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向,最近更改了生产线名称,并开始准备同时量产NAND和DRAM。
据了解,去年第三季度三星电子已将P4 Phase(Ph)1线名称从P4F更改为P4H。
F是代表Nand Flash的术语。H是Hybrid(混合)的缩写。这意味着PH1不再是仅生产NAND的生产线,而是同时生产NAND和DRAM。
具体来说,在P4H生产线中,已确定每月对NAND生产规模为1万片。今年中旬已进行每月5千片的投产,并计划到年底再增加每月5千片。
关于额外投资的走向,预计将在明年中旬左右揭晓。QLC(四层单元)V9 NAND等新一代NAND的量产准备已完成,但由于不确定的市场状况,计划已被推迟。
DRAM方面,三星电子计划生产1a(第五代10纳米级)和1b(第六代10纳米级)DRAM。目前,三星电子正在投资将其平泽园区现有的成熟制程DRAM转换为1a、1b等,包括P1、P2和P3,预计P4H将承担这些DRAM部分制造工艺的角色。
因此,在P4H投产的DRAM产能预计至少每月30,000至40,000片。
存储原厂 |
三星电子 | 94400 | KRW | +6.07% |
SK海力士 | 428000 | KRW | +8.22% |
铠侠 | 6160 | JPY | -0.96% |
美光科技 | 181.600 | USD | -5.58% |
西部数据 | 115.420 | USD | -3.58% |
闪迪 | 116.910 | USD | -9.85% |
南亚科技 | 98.5 | TWD | +8.48% |
华邦电子 | 43.45 | TWD | +5.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 882 | TWD | +3.16% |
慧荣科技 | 85.800 | USD | -8.89% |
联芸科技 | 57.50 | CNY | -7.93% |
点序 | 73.5 | TWD | +9.87% |
品牌/模组 |
江波龙 | 180.01 | CNY | -3.32% |
希捷科技 | 214.380 | USD | -3.30% |
宜鼎国际 | 405.0 | TWD | +9.91% |
创见资讯 | 121.0 | TWD | +3.42% |
威刚科技 | 179.5 | TWD | +2.28% |
世迈科技 | 21.160 | USD | -3.99% |
朗科科技 | 29.03 | CNY | -3.55% |
佰维存储 | 96.50 | CNY | -9.59% |
德明利 | 198.00 | CNY | -4.84% |
大为股份 | 21.51 | CNY | -0.78% |
封测厂商 |
华泰电子 | 52.4 | TWD | +9.85% |
力成 | 159.0 | TWD | +0.63% |
长电科技 | 43.77 | CNY | -6.87% |
日月光 | 179.0 | TWD | +2.58% |
通富微电 | 45.60 | CNY | +3.19% |
华天科技 | 11.78 | CNY | +4.16% |
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