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澜起科技近日在接受机构调研时表示,其三款AI高性能“运力”芯片新产品呈现快速成长态势,第二季度销售收入合计约 1.3 亿元,环比增长显著。

目前已采用RISC-V架构开发了包括半导体IP、SoC和可编程半导体(FPGA)在内的107种芯片,相关软件也变得越来越丰富。

根据投资建议,环球晶圆将在得克萨斯州、密苏里州等地建设工厂,生产300毫米硅晶圆。其中,90%的补贴金额将用于德州12吋厂,密苏里州厂占比较小,补贴金额根据建厂时程表,待政府单位检查确定后才会拨款。

P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。

作为创新性业务,定制化存储方案发展方向包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

据韩媒报道,三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。

ASML对 2024 年全年的展望保持不变,认为 2024 年是一个过渡年,将继续在产能提升和技术方面进行投资。目前看到人工智能的强劲发展,推动了大部分行业的复苏和增长,领先于其他细分市场。

十铨表示,因消费性市场持续疲弱,需求并未如期回升,虽然合约市场将持续涨价,但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示,存储产业已回到健康状态,带动存储稼动率在第2季已达9成,第2季起DRAM代工客户需求强劲,NAND Flash需求也强,市场共识价格会逐步往上,力积电存储晶圆产能几乎全开。

对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。

LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant(原SK建设)来优化其财务结构,此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右,性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能,从而提高AI功能的速度(如语音文本生成),而无需服务器或云访问。

股市快讯 更新于: 07-03 20:16,数据存在延时

存储原厂
三星电子63800KRW+4.93%
SK海力士278500KRW-0.18%
铠侠2548JPY+5.64%
美光科技121.740USD+0.70%
西部数据65.780USD+3.04%
闪迪46.210USD+2.78%
南亚科技50.6TWD+2.33%
华邦电子19.75TWD+1.02%
主控厂商
群联电子494.0TWD+1.33%
慧荣科技73.990USD-0.40%
联芸科技42.13CNY+4.54%
点序54.0TWD+0.93%
品牌/模组
江波龙85.80CNY+3.13%
希捷科技151.940USD+4.76%
宜鼎国际245.5TWD+2.08%
创见资讯114.5TWD+9.05%
威刚科技96.3TWD+1.80%
世迈科技20.200USD+0.15%
朗科科技24.17CNY+1.77%
佰维存储66.30CNY+0.24%
德明利118.30CNY-3.03%
大为股份20.02CNY+10.00%
封测厂商
华泰电子39.35TWD+1.81%
力成136.5TWD+3.02%
长电科技33.53CNY+0.66%
日月光144.0TWD+1.77%
通富微电25.39CNY+0.40%
华天科技10.09CNY-0.20%