近日有消息称，英特尔公司最新的18A制造工艺在博通公司的测试中未能达标。据悉，博通在测试后认为英特尔的这一工艺尚不可行，无法满足大批量生产的条件。目前，双方的合作关系及博通是否决定退出潜在的生产交易尚不明确。

据DRAM产业的一般规律，内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来，三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标，即使在企业内部供应中也存在不足问题。

按地区来看，美洲（40.1%）、中国（19.5%）和亚太/所有其他地区（16.7%）的销售额同比上涨，但日本（-0.8%）和欧洲（-12.0%）的销售额下降。

加入AMD后，Keith Strier将负责扩展公司的AI愿景，推动新的生态系统能力，并加速全球公共和私营部门的战略 AI 合作，他将向AMD执行副总裁兼首席技术官 Mark Papermaster汇报工作。

消息面上，美国8月ISM制造业指数和Markit制造业PMI数据均不及预期，显示制造业仍在收缩区间，加剧了市场对经济放缓的担忧。数据公布后，市场对美联储9月降息的预期升温，但降息幅度的预期有所变化，降息50个基点的可能性从30%提升至39%，而降息25个基点的概率回落至61%。

原本三星计划在平泽P4工厂分阶段建设存储产线和晶圆代工产线，但由于难以获得晶圆代工客户，因此调整了策略，优先发展存储产线。尽管P4一期产线即将投产，三期产线也在建设中，但二期和四期产线的建设计划已被推迟。

三星电子正在测试TEL的新型气体团簇束 (GCB) 设备，该设备用于改善极紫外 (EUV) 图案化。这一测试可能会改变先进EUV光刻技术的市场格局，目前由应用材料公司主导。

三星电子已将先进封装（AVP）业务团队重组为开发团队，并且正在积极招募具有丰富经验的模拟、设计和分析专业人员，以加强研发能力。

随着市场需求变化，为了更好地反映存储行情，CFM闪存市场于2024年9月3日新增服务器DDR5内存条产品报价。

业界人士消息称，三星电子和SK海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术，以实现移动设备上的AI，目标是在2026年左右实现商业化。

旺宏将于第四季度推出3D NOR Flash，目标应用于车用、5G 和工规等领域，预计明年开始接单出货，但初期订单可能并非来自大型客户，销量不大。

半导体出口额的增长尤为显著，8月份达到119亿美元，同比增长38.8%，创下当月新高。这标志着半导体行业连续第 10 个月实现增长，这得益于第三季度的季节性需求以及对高带宽内存HBM、DDR5 和服务器存储芯片的持续需求。