编辑:Andy 发布:2025-01-21 14:54
外媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月,而这一变化可能会影响到三星对HBM4的规划,主因三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。
三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中,三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒,整体良率却无法满足要求。
通常为了进入量产阶段,开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月,将1c DRAM良率提升至70%,但传此目标已延至2025年6月。
由于三星1c DRAM开发进度落后,很可能会使三星处于较为不利的HBM竞争地位。SK海力士已于2024年8月底宣布完成1c DRAM开发,并计划在2024年年内完成量产准备;美光计划2025年4月达成开发目标。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 114900 | KRW | +3.42% |
| SK海力士 | 596000 | KRW | +1.36% |
| 铠侠 | 11170 | JPY | +3.48% |
| 美光科技 | 286.680 | USD | +3.77% |
| 西部数据 | 179.560 | USD | +0.73% |
| 闪迪 | 250.080 | USD | +2.12% |
| 南亚科技 | 189.0 | TWD | +7.08% |
| 华邦电子 | 76.9 | TWD | +5.34% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1290 | TWD | +9.79% |
| 慧荣科技 | 89.080 | USD | -0.61% |
| 联芸科技 | 46.26 | CNY | +0.52% |
| 点序 | 72.0 | TWD | +3.15% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 255.22 | CNY | -0.09% |
| 希捷科技 | 285.270 | USD | +1.14% |
| 宜鼎国际 | 512 | TWD | +2.81% |
| 创见资讯 | 182.5 | TWD | 0.00% |
| 威刚科技 | 223.5 | TWD | +9.83% |
| 世迈科技 | 20.210 | USD | -0.39% |
| 朗科科技 | 26.38 | CNY | +1.19% |
| 佰维存储 | 110.54 | CNY | -1.25% |
| 德明利 | 217.27 | CNY | -1.69% |
| 大为股份 | 27.09 | CNY | +1.31% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 51.5 | TWD | +2.39% |
| 力成 | 164.5 | TWD | +0.30% |
| 长电科技 | 37.13 | CNY | +0.03% |
| 日月光 | 234.5 | TWD | 0.00% |
| 通富微电 | 37.62 | CNY | -0.29% |
| 华天科技 | 11.12 | CNY | 0.00% |
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