消息称三星电子将1c nm良率里程碑推迟半年，恐影响HBM4规划

外媒报道，三星电子已将其1c nm DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4的规划，主因三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。

三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。

通常为了进入量产阶段，开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月，将1c DRAM良率提升至70%，但传此目标已延至2025年6月。

由于三星1c DRAM开发进度落后，很可能会使三星处于较为不利的HBM竞争地位。SK海力士已于2024年8月底宣布完成1c DRAM开发，并计划在2024年年内完成量产准备；美光计划2025年4月达成开发目标。