IFR将管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm²的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值。即对于目前几乎所有现行生产的HBM，均不能出口到中国。

1－10月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高6.8个和3.5个百分点。10月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.5%。

受惠于用于人工智能服务器和企业固态硬盘 (SSD) 的高性能内存芯片的出口呈现强劲增长，11月韩国半导体出口额同比增长30.8%，为125亿美元，创下历年同期最高纪录，连续13个月保持增势，连续第四个月创下纪录。

德国经济部希望利用新提议的资金补贴一系列领域的10至15个项目，包括未加工晶圆的生产和微芯片组装。

随着外围核心和存储单元的分离，预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示，下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

这笔直接资金是英特尔获得的30亿美元Secure Enclave计划制造合同的补充，该计划旨在为美国政府扩大尖端半导体的可信制造。此外，还提供25%投资税收抵免，支持英特尔在美国投资超过 1000 亿美元的计划。

10月包括出口在内的日本半导体制造设备的销售额比上个月增长4.4%（2024年9月度为3695.98亿日元），比去年同期相比增长33.4%（2023年10月度为2891.98亿日元），达3856.76亿日元（约合25.04亿美元）。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。

在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后，美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。