IFR将管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm²的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值。即对于目前几乎所有现行生产的HBM，均不能出口到中国。

1－10月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高6.8个和3.5个百分点。10月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.5%。

受惠于用于人工智能服务器和企业固态硬盘 (SSD) 的高性能内存芯片的出口呈现强劲增长，11月韩国半导体出口额同比增长30.8%，为125亿美元，创下历年同期最高纪录，连续13个月保持增势，连续第四个月创下纪录。

德国经济部希望利用新提议的资金补贴一系列领域的10至15个项目，包括未加工晶圆的生产和微芯片组装。

这笔直接资金是英特尔获得的30亿美元Secure Enclave计划制造合同的补充，该计划旨在为美国政府扩大尖端半导体的可信制造。此外，还提供25%投资税收抵免，支持英特尔在美国投资超过 1000 亿美元的计划。

10月包括出口在内的日本半导体制造设备的销售额比上个月增长4.4%（2024年9月度为3695.98亿日元），比去年同期相比增长33.4%（2023年10月度为2891.98亿日元），达3856.76亿日元（约合25.04亿美元）。

在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后，美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。

SEMI表示，第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢，但AI数据中心投资需求强劲，是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%，主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。

英伟达在中国的数据中心收入连续增长，但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平，预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。

受行业周期好转的影响，11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%，达77.1亿美元，占同期全国出口总额的 21.6%，比去年同期上升了5.6 个百分点。

目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程；SK海力士正在评估无助焊剂键合技术；三星电子也正在密切关注相关技术。

对于上述消息，英伟达发言人回应称，公司正与顶尖云端服务供应商合作，工程方面的调整「正常且符合预期」。

展望全年，预计台湾地区今年半导体总产值将达新台币5.3兆元，成长22%；IC制造业产值可望成长27.5%，IC设计业将成长16.5%，IC封装业成长8.6%，IC测试业成长5.2%。

目前其具体计划，如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露，但预计最早可应用于0a（个位数纳米级）DRAM产品的量产。

ASML预计美国将继续加大压力，进一步限制向中国的销售。明年中国市场的销售额将占到公司总收入的20%左右，而第三季度中国市场的销售额几乎占到一半。