新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务，以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

受益于AI发展带动对存储容量的需求增长，预计在2024财年（至2025年3月为止）期间，日本芯片制造设备的销售额将增长15%。

业内人士表示，“在高带宽内存（HBM）市场上失利的三星电子正在对CXL进行大量投资。三星电子已经制定了在CXL 3.0时代占据主导地位的计划。”

Moon Ki-il还表示，HBM目前主要应用于人工智能（AI）系统，但目标也将扩展到移动设备。

据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行产品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

招聘岗位共计800个，选定人员将在华城、器兴、平泽、天安、温阳、水原等地工作。这是自5月DS部门负责人全永铉就任以来的首次大规模招聘。

据韩媒报道，业界人士透露，三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。

CFM消息，近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来，服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势：DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企，整体需求表现惨淡；DDR5方面，随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高，需求激增，CFM消息，今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%，DDR5 64GB及以上需求持续火热，DDR5整体呈现供不应求市况。

三星电子正在由其先进封装（AVP）部门主导开发“3.3D先进半导体封装技术”。目标是2026年第二季度量产，应用于AI半导体芯片。

随着光刻机成本的不断攀升，设备成本已成为先进制程代工厂规划未来工艺时的关键考虑因素。