编辑:Andy 发布:2024-09-02 15:46
据韩媒报道,业界人士消息称,三星电子和SK海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术,以实现移动设备上的AI,目标是在2026年左右实现商业化。
这种存储器被称为“移动HBM”,其特点是像目前服务器中使用的HBM一样堆叠DRAM。其概念是通过堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽,并具有高功效(即低功耗)的优势。它与HBM类似,通过将常规 DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量。
HBM 是在 DRAM 中钻微孔,并用电极连接上下层。移动HBM具有相同的堆叠概念,但正在推广一种将其堆叠在楼梯中,然后用垂直电线将其连接到基板的方法。具体来说,三星电子正在开发名为“VCS”的技术,SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。两种技术都专注于通过增加输入和输出端子来增加带宽。
据业内人士透露,“正在开发的下一代 DRAM将为移动设备提供与HBM(高带宽存储器)类似的功能。随着AI加速器的普及,HBM市场迅速增长,我们正寻求将其扩展应用到智能手机、平板电脑和笔记本电脑等领域。”
尽管尚未确定如何将负责AI运算的处理器与系统其他部分连接,但目前正在讨论几种可能的方案。其中一种方案是像HBM(高带宽存储器)那样,将AI处理器放置在图形处理单元(GPU)旁边。另一种方案是在AI芯片上堆叠存储器。
业界对移动HBM(高带宽存储器)的兴趣日益增加,这是因为智能手机现在正发展成为新的AI设备。移动HBM很可能会被定制化供应给智能手机制造商或智能手机用AP开发商。这意味着,与过去大规模生产特定规格产品的供应商中心模式不同,现在正转向以需求者为中心的模式。这与此前SK海力士为苹果头戴设备“Vision Pro”供应定制化低功耗DRAM的情况类似。
据CFM闪存市场数据,预计HBM Bit供应今年达110亿Gb,约占DRAM Bit比重为4.8%;全年市场规模达150亿美元,约占DRAM市场的20%。随着移动HBM的技术发展,预计未来HBM的市场规模将进一步扩大,移动DRAM供需市场格局也将发生巨变。
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
美光科技 | 93.370 | USD | -1.54% |
西部数据 | 50.180 | USD | +0.68% |
闪迪 | 37.280 | USD | -1.48% |
南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
主控厂商 |
群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
慧荣科技 | 63.700 | USD | -2.11% |
联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
希捷科技 | 112.740 | USD | +3.56% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 17.640 | USD | -2.22% |
朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
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