英特尔在声明表示：「上述公告凸显出英特尔在转型策略方面的进展。公司继续创造财务灵活性，并加速策略推动，包含投资全球制造业务，同时保持强韧的资产负债表。」

联发科拥有领先的SoC整合设计能力，能提供差异化解决方案，通过优化已经验证过的Arm CPU子系统加速产品上市时间，并可针对特定应用领域的复杂AI运算要求以及客户的运算子系统提供最佳的解决方案。

此前有消息称，三星HBM因发热及功耗问题，未通过英伟达品质测试。对此，黄仁勋表示此传言并非事实，否认三星HBM品质测试不合格的传闻。

据鸿海规划，高雄先进算力总计64柜GB200 NV72 ，共4608 颗GPU 的算力，预计2026 年完工。未来算力除了自用外，也会以租赁给供应链合作伙伴使用。

新的High-NA EUV能生产新一代更小、效能更快的芯片。ASML称，预计客户将在2025-2026年开始使用这款新设备进行商业生产。

低温蚀刻可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

在2024年台北国际电脑展上，AMD公司展示了其在处理器和AI加速器领域的最新技术成果。AMD宣布了Ryzen 5000XT系列处理器、第五代EPYC霄龙芯片、X870(E)芯片组、Radeon PRO W7900DS显卡、Ryzen AI 300系列APU、Ryzen 9000系列桌面处理器，以及Instinct GPU AI加速器的未来三年发展路线图。

AMD今年将推出采用HBM3E的Instinct MI325X，预计将于2024年第四季度上市。

此外，SEMES目前正在开发和评估高精度、高生产率的混合键合设备，该设备可以通过堆叠芯片来连接芯片，无需单独的连接端子，为HBM4之后的超精细工艺做好准备。

SK海力士计划在今年下半年购买约30台可进行加热回流的TC键合机。

由于半导体和显示器等 IT 产品出口增加，中国已超越美国成为韩国最大的出口目的地。

英伟达正式宣布在其下一代产品中搭载HBM4， AI芯片发布周期也有望从现有的两年加速到一年，将引发HBM开发速度的竞争。

消息还称，今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。