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三星电子正在由其先进封装(AVP)部门主导开发“3.3D先进半导体封装技术”。目标是2026年第二季度量产,应用于AI半导体芯片。

随着光刻机成本的不断攀升,设备成本已成为先进制程代工厂规划未来工艺时的关键考虑因素。

消息称台积电计划在全台湾地区建设至少八个基于2纳米工艺节点的半导体代工工厂,并计划于明年开始量产。

在生成式AI应用程序ChatGPT发布后,英伟达芯片需求大幅成长,同时也引发多个国家的监管审查。

随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长,HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年,三星虽暂时落后,但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革,满足未来市场需求。

美光科技(Micron)正式进入高带宽存储器(HBM)市场,打破了三星电子和海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者,但美光科技已经开始向英伟达(Nvidia)供应少量产品,形成了HBM领域的三足鼎立局面。

受惠日圆走贬、中国需求大增,带动日厂电子零件出货额续扬、创2年半来最大增幅。

过去随着半导体先进制程的推进以及制程微缩,die size缩小,wafer用量减少,但现在由于封装变立体,结构变化,wafer数量提升,可见AI的发展趋势有利于wafer量的提升。

韩国6月半导体出口额为134.2亿美元,创历史新高,已连续8个月保持增势。韩国工信部将涨幅归因于存储芯片价格上涨,以及云计算和人工智能领域的强劲需求。

SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元(约合747亿美元),加强半导体事业竞争力,计划将约80%(82万亿韩元,约合595亿美元)投资于高带宽存储器(HBM)等AI相关领域。

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资,并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略,这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化,以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元(GPU)和高速内存等技术的看好。

美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造,但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产,并计划于2025年实现量产。

SK海力士正在与全球PC客户进行对新产品的验证,计划验证完成后今年内开始量产,并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。

武汉全球投资促进大会上宣布,武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金,专注于集成电路等重点产业,旨在3至5年内吸引3000亿元投资,推动产业升级和区域经济发展。

股市快讯 更新于: 07-18 04:19,数据存在延时

存储原厂
三星电子66700KRW+3.09%
SK海力士269500KRW-8.95%
铠侠2414JPY-1.55%
美光科技113.260USD-2.72%
西部数据67.020USD+0.74%
闪迪41.520USD+0.39%
南亚科技43.10TWD+4.11%
华邦电子17.90TWD+1.42%
主控厂商
群联电子510TWD+1.19%
慧荣科技73.160USD+2.55%
联芸科技41.60CNY-0.07%
点序54.2TWD+3.44%
品牌/模组
江波龙83.22CNY-0.06%
希捷科技146.720USD-0.27%
宜鼎国际231.0TWD+0.65%
创见资讯91.8TWD+0.33%
威刚科技93.4TWD+1.85%
世迈科技24.880USD+1.02%
朗科科技23.83CNY+1.32%
佰维存储64.77CNY+0.72%
德明利83.67CNY+0.13%
大为股份17.29CNY+0.88%
封测厂商
华泰电子38.25TWD+1.06%
力成139.5TWD+0.72%
长电科技33.96CNY+1.10%
日月光151.5TWD+0.33%
通富微电26.05CNY+0.54%
华天科技9.92CNY+0.30%