三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资,并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。
TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略,这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化,以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元(GPU)和高速内存等技术的看好。
美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造,但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产,并计划于2025年实现量产。
SK海力士正在与全球PC客户进行对新产品的验证,计划验证完成后今年内开始量产,并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。
武汉全球投资促进大会上宣布,武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金,专注于集成电路等重点产业,旨在3至5年内吸引3000亿元投资,推动产业升级和区域经济发展。
据韩媒报道,韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元(约合2亿美元),该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。
据韩媒报道,三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元(约合36亿美元),为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。
关系人士称,铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市,而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备,但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。
美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉,HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。
三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中,并发布具有浸入式冷却保证的产品。
韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元(约合2亿美元)用于半导体封装技术研发项目,目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。
据韩媒报道,业界人士透露,韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年,由于需求低迷,三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%,受AI数据中心对大容量NAND需求的推动,今年开工率已上升至70%以上。
轨道设备用于芯片生产的光刻工艺,其中光刻胶沉积在晶圆上,当暴露在光线下时,光刻胶就会被绘制成电路图案。
作为该基础设施的首个成果,三星本月成功验证了其CMM-D产品,这也是三星在业界首例。三星还可以在早期开发阶段优化产品,从而为客户提供定制化解决方案。
今年上半年整体市况较压抑,预期在需求递延下,应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响,预估今年第四季可望与第三季持平,而上下半年营收比重则应会以4:6表现。
存储原厂 |
三星电子 | 63100 | KRW | -1.10% |
SK海力士 | 270500 | KRW | -2.87% |
铠侠 | 2381 | JPY | -6.55% |
美光科技 | 122.290 | USD | +0.45% |
西部数据 | 66.080 | USD | +0.46% |
闪迪 | 46.410 | USD | +0.43% |
南亚科技 | 48.45 | TWD | -4.25% |
华邦电子 | 19.15 | TWD | -3.04% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.0 | TWD | -3.24% |
慧荣科技 | 74.810 | USD | +1.11% |
联芸科技 | 41.60 | CNY | -1.26% |
点序 | 52.3 | TWD | -3.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.72 | CNY | -2.42% |
希捷科技 | 149.440 | USD | -1.65% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | -1.22% |
创见资讯 | 120.0 | TWD | +4.80% |
威刚科技 | 93.6 | TWD | -2.80% |
世迈科技 | 20.870 | USD | +3.32% |
朗科科技 | 23.72 | CNY | -1.86% |
佰维存储 | 65.06 | CNY | -1.87% |
德明利 | 120.82 | CNY | +2.13% |
大为股份 | 19.15 | CNY | -4.35% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.20 | TWD | -2.92% |
力成 | 134.5 | TWD | -1.47% |
长电科技 | 33.20 | CNY | -0.98% |
日月光 | 147.0 | TWD | +2.08% |
通富微电 | 25.09 | CNY | -1.18% |
华天科技 | 9.89 | CNY | -1.98% |
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