权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:产业资讯

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资,并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略,这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化,以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元(GPU)和高速内存等技术的看好。

美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造,但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产,并计划于2025年实现量产。

SK海力士正在与全球PC客户进行对新产品的验证,计划验证完成后今年内开始量产,并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。

武汉全球投资促进大会上宣布,武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金,专注于集成电路等重点产业,旨在3至5年内吸引3000亿元投资,推动产业升级和区域经济发展。

据韩媒报道,韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元(约合2亿美元),该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。

据韩媒报道,三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元(约合36亿美元),为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。

关系人士称,铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市,而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备,但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉,HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中,并发布具有浸入式冷却保证的产品。

韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元(约合2亿美元)用于半导体封装技术研发项目,目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。

据韩媒报道,业界人士透露,韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年,由于需求低迷,三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%,受AI数据中心对大容量NAND需求的推动,今年开工率已上升至70%以上。

轨道设备用于芯片生产的光刻工艺,其中光刻胶沉积在晶圆上,当暴露在光线下时,光刻胶就会被绘制成电路图案。

作为该基础设施的首个成果,三星本月成功验证了其CMM-D产品,这也是三星在业界首例。三星还可以在早期开发阶段优化产品,从而为客户提供定制化解决方案。

今年上半年整体市况较压抑,预期在需求递延下,应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响,预估今年第四季可望与第三季持平,而上下半年营收比重则应会以4:6表现。

股市快讯 更新于: 07-04 14:43,数据存在延时

存储原厂
三星电子63100KRW-1.10%
SK海力士270500KRW-2.87%
铠侠2381JPY-6.55%
美光科技122.290USD+0.45%
西部数据66.080USD+0.46%
闪迪46.410USD+0.43%
南亚科技48.45TWD-4.25%
华邦电子19.15TWD-3.04%
主控厂商
群联电子478.0TWD-3.24%
慧荣科技74.810USD+1.11%
联芸科技41.60CNY-1.26%
点序52.3TWD-3.15%
品牌/模组
江波龙83.72CNY-2.42%
希捷科技149.440USD-1.65%
宜鼎国际242.5TWD-1.22%
创见资讯120.0TWD+4.80%
威刚科技93.6TWD-2.80%
世迈科技20.870USD+3.32%
朗科科技23.72CNY-1.86%
佰维存储65.06CNY-1.87%
德明利120.82CNY+2.13%
大为股份19.15CNY-4.35%
封测厂商
华泰电子38.20TWD-2.92%
力成134.5TWD-1.47%
长电科技33.20CNY-0.98%
日月光147.0TWD+2.08%
通富微电25.09CNY-1.18%
华天科技9.89CNY-1.98%