权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:产业资讯

根据投资建议,环球晶圆将在得克萨斯州、密苏里州等地建设工厂,生产300毫米硅晶圆。其中,90%的补贴金额将用于德州12吋厂,密苏里州厂占比较小,补贴金额根据建厂时程表,待政府单位检查确定后才会拨款。

P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。

作为创新性业务,定制化存储方案发展方向包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

据韩媒报道,三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。

ASML对 2024 年全年的展望保持不变,认为 2024 年是一个过渡年,将继续在产能提升和技术方面进行投资。目前看到人工智能的强劲发展,推动了大部分行业的复苏和增长,领先于其他细分市场。

十铨表示,因消费性市场持续疲弱,需求并未如期回升,虽然合约市场将持续涨价,但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示,存储产业已回到健康状态,带动存储稼动率在第2季已达9成,第2季起DRAM代工客户需求强劲,NAND Flash需求也强,市场共识价格会逐步往上,力积电存储晶圆产能几乎全开。

对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。

LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant(原SK建设)来优化其财务结构,此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右,性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能,从而提高AI功能的速度(如语音文本生成),而无需服务器或云访问。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始,Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露,SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4,目前正在研发层面进行商业可行性审查,并非立即引入和投资。

股市快讯 更新于: 07-27 06:07,数据存在延时

存储原厂
三星电子65900KRW-0.15%
SK海力士266000KRW-1.30%
铠侠2457JPY-4.25%
美光科技111.260USD-0.42%
西部数据68.820USD-0.29%
闪迪42.480USD+1.00%
南亚科技43.25TWD+0.58%
华邦电子17.45TWD+0.58%
主控厂商
群联电子521TWD-0.38%
慧荣科技72.800USD-1.41%
联芸科技43.04CNY+2.33%
点序52.8TWD-1.12%
品牌/模组
江波龙87.20CNY+1.64%
希捷科技150.890USD-1.20%
宜鼎国际225.0TWD-0.44%
创见资讯89.9TWD+0.33%
威刚科技90.9TWD-0.87%
世迈科技25.160USD+1.04%
朗科科技24.89CNY+2.01%
佰维存储64.78CNY+0.43%
德明利87.30CNY+3.69%
大为股份17.34CNY-0.86%
封测厂商
华泰电子38.90TWD-1.52%
力成140.0TWD+0.72%
长电科技34.82CNY+0.35%
日月光153.5TWD-1.29%
通富微电26.57CNY+0.72%
华天科技10.39CNY+0.87%