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韩国AI半导体企业Rebellions宣布与Marvell达成战略合作,将针对亚太及中东地区的主权AI计划与区域化AI部署,联合推出高性能、高能效的定制化AI系统。

据悉,PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下,仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元(约合26亿美元)。

群联已开始调整出货节奏,将供货优先顺序给长期合作客户,避免因短期集中出货而导致9-11月无货可交。

美国政府4月13日宣布对半导体行业展开国家安全贸易调查。据外媒报道,美国商务部长卢特尼克27日表示,将在两周内公布该调查结果。

江波龙NFC PSSD技术已经率先在旗下国际高端消费品牌Lexar实现产品化并将逐步推向市场,外观延续雷克沙家族设计语言,支持Windows、macOS、Android、iOS全平台,未来有望在主要电商及线下零售渠道陆续与消费者见面。

闪迪提出的HBF(高带宽闪存)是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构,结合了3D NAND闪存和高带宽存储器(HBM)的特性,旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。

宇瞻看好,随着AI 产业持续火热,有助带动存储需求,包括服务器DDR5与企业SSD 的升级,也有助DRAM 与NAND市况。

据业界消息,三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发,正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s,后续计划提升至17600MT/s,达到现行DDR5最高速度(约8000MT/s)的两倍以上。

三星原本计划在今年下半年实现量产,但内部采取了谨慎态度,将量产准备批准(PRA)期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试,1c DRAM的良率已达到65%。

全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成,与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比,性能有显著提升。

陈立武表示,英特尔将不再执行「先建厂再找客户」的策略,不相信只要盖好工厂,客户就会自己出现。他支出,此前激进、大举扩张的策略,导致厂区分散、产能闲置,并强调未来将依据客户实际下单情况来决定是否扩建产能,所有投资将回归经济效益,不再「乱开空白支票」。

作为AMD官方合作伙伴,江波龙企业级BG系列 DDR5 RDIMM率先通过该平台严苛兼容性测试,并被指定为官方工作站内存配置。

就NAND闪存业务领域,SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调,实施以盈利为导向的运营策略,也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

三星电子将在 16 层第 7 代 HBM“HBM4E”中同时采用 TC 键合和混合键合,并将从20层第 8 代“HBM5”开始全面应用于量产。

股市快讯 更新于: 11-02 20:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子107500KRW+3.27%
SK海力士559000KRW-1.58%
铠侠10825JPY-0.69%
美光科技223.770USD-0.11%
西部数据150.210USD+8.75%
闪迪199.330USD+1.79%
南亚科技132.5TWD-1.49%
华邦电子54.2TWD-1.81%
主控厂商
群联电子1065TWD-4.05%
慧荣科技98.110USD-1.85%
联芸科技57.18CNY-5.95%
点序78.6TWD-1.87%
品牌/模组
江波龙261.31CNY-7.66%
希捷科技255.880USD-4.64%
宜鼎国际431.0TWD+0.58%
创见资讯132.5TWD-1.12%
威刚科技198.0TWD-0.50%
世迈科技22.270USD-0.76%
朗科科技30.45CNY-3.97%
佰维存储131.00CNY-3.46%
德明利228.24CNY+0.95%
大为股份28.02CNY+3.89%
封测厂商
华泰电子48.60TWD+0.83%
力成173.0TWD-2.26%
长电科技40.02CNY-3.80%
日月光247.5TWD+10.00%
通富微电42.45CNY-4.99%
华天科技12.06CNY-1.71%