权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:产业资讯

美光称,业绩预测上调主要得益于数据中心、PC和移动市场DDR5和LPDDR5价格的上涨。HBM晶圆与DDR5晶圆的供应比例约为3比1,这给非HBM市场的供应带来了压力。

针对“美光近日中国区业务调整”一事,美光正式回应CFM闪存市场:鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他 NAND 机会增长放缓,我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发,包括终止UFS5的开发。

特朗普表示,我有可能会达成这样的协议,即对 Blackwell 处理器进行某种程度的负面改进。换句话说,将其性能降低 30% 到 50%。

群联7月PCIe SSD控制芯片出货量同比增长43%,累计前7月同比增长10%;NAND总bit出货同比增长41%,累计同比增长达8%。

据悉,三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品,并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍,同时功耗降低最多80%。

佰维存储第二季度营收23.69亿元,环比增长53.5%;归母净利润亏损2829万元,环比亏损大幅收窄。

SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度,部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务,SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。

PCIe 5.0 DRAM-less 主控 SM2524XT拥有 4 个 4800MT/s NAND 闪存通道,顺序性能超过 14GB/s、随机性能可达 2500K IOPS。

合资公司将结合双方资源与专业技术,并运用南亚科技的先进制程与产能,提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽内存解决方案,拓展AI边缘运算的多元应用商机。

闪迪宣布,已与SK海力士签署一项谅解备忘录,双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash,HBF) 规范。通过此次合作,双方希望标准化规范、定义技术要求,并探索构建HBF的技术生态系统。

华邦电子董事会已通过投资40~50亿元在台中厂增设Flash产能,NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤,市场供应紧张,未来成长空间可期。

三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

美国总统特朗普8月6日表示,美国将对进口半导体征收 100% 的关税,同时承诺对在美国境内建立或承诺建立制造业务的公司给予豁免。但特朗普未具体说明企业需要在美国投资多少才能获得关税豁免。

AMD CEO苏姿丰在财报电话会议上表示,受美国对中国实施先进芯片出口管制影响,以及产品转换至次世代MI350系列AI芯片,Q2的AI芯片营收呈现年减态势。AMD已于6月开始量产MI350系列AI芯片,预测产量将于今年下半大幅扩增。

消息人士称,英特尔通常要等到良率达70~80%时才能获利,对于Panther Lake这种尺寸较小、容错率偏低的芯片,这一点尤为重要。

股市快讯 更新于: 11-23 02:26,数据存在延时

存储原厂
三星电子94800KRW-5.77%
SK海力士521000KRW-8.76%
铠侠10030JPY-11.51%
美光科技207.370USD+2.98%
西部数据139.190USD-0.74%
闪迪200.270USD+2.20%
南亚科技140.0TWD-9.97%
华邦电子52.2TWD-10.00%
主控厂商
群联电子1065TWD-9.75%
慧荣科技81.040USD+1.10%
联芸科技46.35CNY-4.22%
点序65.7TWD-6.81%
品牌/模组
江波龙239.65CNY-8.08%
希捷科技237.490USD-1.25%
宜鼎国际493.5TWD-5.82%
创见资讯186.5TWD-7.67%
威刚科技173.5TWD-8.92%
世迈科技17.570USD-0.40%
朗科科技26.81CNY-9.67%
佰维存储103.66CNY-8.00%
德明利222.71CNY-10.00%
大为股份32.98CNY-9.99%
封测厂商
华泰电子46.45TWD-4.52%
力成151.0TWD-4.73%
长电科技34.85CNY-3.52%
日月光209.0TWD-6.07%
通富微电35.25CNY-4.11%
华天科技10.62CNY-3.72%