分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

据外媒报道，美国政府正在评估一项计划，根据芯片数量及其在设备中的估值对进口电子产品征税。该计划目前仍在内部审查中，可能影响从Apple Watch等基本设备到高端服务器等各种产品，标志着美国将转向针对芯片的贸易惩罚措施。

适逢国庆、中秋假期，按国家规定放假8天，即10月1-8日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月9日（星期四）恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

受DRAM和NAND价格上涨以及人工智能应用对高带宽内存（HBM）需求增长的提振，芯片成为韩国出口的唯一亮点。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 2.00% 至 $5.10，1Tb TLC 涨 1.79% 至 $5.70，512Gb TLC 涨 2.94% 至 $3.50，256Gb TLC 涨 3.23% 至 $3.20。

除小米17系列宣布全球首发，vivo iQOO 15系列、OPPO一加15系列、中兴红魔11系列及努比亚Z80系列、荣耀Magic8系列等旗舰机型均确认将搭载高通骁龙8 Elite Gen5。

累计2025年1-8月，日本芯片设备销售额达3兆3,758亿8,600万日圆、较去年同期大增19.2%，就历年同期来看，远超2024年的2兆8,311亿7,300万日圆、创下历史新高纪录。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。

性能方面，顺序读写速度最高可达6800MB/s 和 5600MB/s，随机读写速度最高可达700K IOPS 和 800K IOPS。

消息人士透露，三星电子最近通过了英伟达对其12层HBM3E的质量测试，并即将开始出货。

PCI-SIG今年8月公布PCI Express 8.0规范开发计划，其原始比特速率在 PCIe 7.0 基础上再次翻倍，达到256 GT/s。在 ×16 配置下双向传输带宽可达 1TB/s，旨在满足未来人工智能及高性能计算领域对高速互联日益增长的需求。

双方表示，将通过 NVIDIA NVLink 将英伟达的人工智能 (AI) 和加速计算技术与英特尔CPU和 x86 生态系统连接起来，提供尖端解决方案。

华为超节点Atlas 950 SuperPoD至少在未来多年都将保持是全球最强算力的超节点，并且在各项主要能力上都远超业界主要产品。