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韩美半导体:用于HBM的混合键合机2027年上市

编辑:Andy 发布:2025-09-18 16:04

韩国半导体设备商韩美半导体宣布,其用于高带宽存储器 (HBM) 的混合键合机预计将于2027年上市,用于片上系统 (SoC) 的混合键合机预计将于 2028 年上市。

与目前使用凸块垂直堆叠HBM DRAM的热压键合 (TC) 设备不同,该混合键合机可以直接将芯片键合在一起,可减少HBM 厚度并减少信号损耗。预计该设备将于 2027年投入生产20层第六代 HBM (HBM4)。 

此外,韩美半导体还宣布,已完成AI半导体设备技术的开发,并计划将该技术引入包括HBM4生产设备“TC Bonder 4”在内的未来推出的所有设备中。

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