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需求面来看,受总体不确定与部分消费性产品提前拉货影响,终端仍偏保守;但在DDR4停产的外溢效应与DDR5放量带动下,其存储封测业务维持相对稳健,动能明显优于驱动IC。

按出口品目看,半导体出口额同比增加31.2%,连续四个月创新高;通信设备增加4.6%;显示器下降8.9%;手机下降21.7%;计算机及周边设备下降17.1%。

FADU表示,目前正与美国超大规模数据中心运营商合作,部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。

美光称,业绩预测上调主要得益于数据中心、PC和移动市场DDR5和LPDDR5价格的上涨。HBM晶圆与DDR5晶圆的供应比例约为3比1,这给非HBM市场的供应带来了压力。

针对“美光近日中国区业务调整”一事,美光正式回应CFM闪存市场:鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他 NAND 机会增长放缓,我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发,包括终止UFS5的开发。

特朗普表示,我有可能会达成这样的协议,即对 Blackwell 处理器进行某种程度的负面改进。换句话说,将其性能降低 30% 到 50%。

群联7月PCIe SSD控制芯片出货量同比增长43%,累计前7月同比增长10%;NAND总bit出货同比增长41%,累计同比增长达8%。

据悉,三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品,并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍,同时功耗降低最多80%。

佰维存储第二季度营收23.69亿元,环比增长53.5%;归母净利润亏损2829万元,环比亏损大幅收窄。

SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度,部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务,SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。

PCIe 5.0 DRAM-less 主控 SM2524XT拥有 4 个 4800MT/s NAND 闪存通道,顺序性能超过 14GB/s、随机性能可达 2500K IOPS。

合资公司将结合双方资源与专业技术,并运用南亚科技的先进制程与产能,提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽内存解决方案,拓展AI边缘运算的多元应用商机。

闪迪宣布,已与SK海力士签署一项谅解备忘录,双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash,HBF) 规范。通过此次合作,双方希望标准化规范、定义技术要求,并探索构建HBF的技术生态系统。

华邦电子董事会已通过投资40~50亿元在台中厂增设Flash产能,NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤,市场供应紧张,未来成长空间可期。

三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

股市快讯 更新于: 11-01 22:38,数据存在延时

存储原厂
三星电子107500KRW+3.27%
SK海力士559000KRW-1.58%
铠侠10825JPY-0.69%
美光科技223.770USD-0.11%
西部数据150.210USD+8.75%
闪迪199.330USD+1.79%
南亚科技132.5TWD-1.49%
华邦电子54.2TWD-1.81%
主控厂商
群联电子1065TWD-4.05%
慧荣科技98.110USD-1.85%
联芸科技57.18CNY-5.95%
点序78.6TWD-1.87%
品牌/模组
江波龙261.31CNY-7.66%
希捷科技255.880USD-4.64%
宜鼎国际431.0TWD+0.58%
创见资讯132.5TWD-1.12%
威刚科技198.0TWD-0.50%
世迈科技22.270USD-0.76%
朗科科技30.45CNY-3.97%
佰维存储131.00CNY-3.46%
德明利228.24CNY+0.95%
大为股份28.02CNY+3.89%
封测厂商
华泰电子48.60TWD+0.83%
力成173.0TWD-2.26%
长电科技40.02CNY-3.80%
日月光247.5TWD+10.00%
通富微电42.45CNY-4.99%
华天科技12.06CNY-1.71%