三星4nm逻辑芯片测试生产良率已超40%

据韩媒引述消息人士报道，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。为了提升逻辑芯片的性能，三星代工业务引入了多项新工艺。

由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。与依赖台积电生产逻辑芯片的竞争对手不同，三星利用自身先进的晶圆代工技术，灵活地为全球科技巨头定制芯片，满足日益增长的定制化HBM解决方案需求。

三星HBM4项目的成功最终取决于其存储部门能否量产其第六代10纳米级（1c）DRAM芯片。此外，封装技术也至关重要。三星采用的是先进的热压非导电薄膜（TC-NCF）技术，在每个芯片之间放置一层薄膜。但业内人士表示，这种方法在热管理方面带来了挑战。