权威的存储市场资讯平台English

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant(原SK建设)来优化其财务结构,此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始,Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露,SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4,目前正在研发层面进行商业可行性审查,并非立即引入和投资。

HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点,三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应,而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品,以应对市场需求。

德明利2024年半年度研发费用约为7,600万元,上年同期为4,172.86万元。

产品研发方面,旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试,其中4Gb产品进度最快,预计今年下半年进入市场,并于明年量产。

十铨认为,DDR4产品因第三季零售渠道需求看季持平,预期将维持现有价格水准,而DDR5由于原厂供给量不足,价格仍会持续微幅上扬。

新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务,以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

Moon Ki-il还表示,HBM目前主要应用于人工智能(AI)系统,但目标也将扩展到移动设备。

据日媒报道,铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash,与现行产品相比,存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。

CFM消息,近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来,服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势:DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企,整体需求表现惨淡;DDR5方面,随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高,需求激增,CFM消息,今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%,DDR5 64GB及以上需求持续火热,DDR5整体呈现供不应求市况。

股市快讯 更新于: 05-02 01:42,数据存在延时

存储原厂
三星电子55500KRW-0.54%
SK海力士177500KRW-1.83%
铠侠1833JPY-1.19%
美光科技78.762USD+2.35%
西部数据44.230USD+0.84%
闪迪33.010USD+2.80%
南亚科36.00TWD-3.23%
华邦电子15.75TWD-1.25%
主控厂商
群联电子447.5TWD-0.33%
慧荣科技50.360USD+1.74%
联芸科技41.35CNY+1.95%
点序55.4TWD-0.18%
国科微68.93CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙77.91CNY+3.33%
希捷科技90.380USD-0.71%
宜鼎国际233.0TWD-2.92%
创见资讯100.0TWD-3.38%
威刚科技83.7TWD-0.12%
世迈科技17.215USD+0.85%
朗科科技25.09CNY+4.24%
佰维存储62.33CNY+1.32%
德明利127.50CNY+0.73%
大为股份14.18CNY+2.09%
封测厂商
华泰电子31.90TWD-4.49%
力成108.5TWD-2.69%
长电科技33.43CNY+1.24%
日月光135.5TWD-2.17%
通富微电25.62CNY+0.99%
华天科技9.28CNY-5.31%