在P4H生产线中，已确定每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月30,000至40,000片。

对于存储产业2025年市况，吴敏求认为，「2024年较2023年好一些，2025年也会较2024年稍微成长」。

与NAND Flash相比，CXL读取速度更快；与DRAM相比，CXL更省电，且DRAM在断电情况下数据会丢失，CXL即便在断电时、也能保留大量数据，能降低AI驱动时的耗电量。

与现有的12层产品相比，16 层产品在 LLM（大型语言模型）学习方面的性能提高18%，在推理方面的性能提高32%。

SK海力士近日表示，计划以下一代内存技术满足AI时代的需求，强调HBM（高带宽内存）和CXL（计算高速链路）内存的互补作用。

展望未来，宇瞻表示，因客户备货高峰已过，加上欧美长假影响，第4季营运展望相对保守。

受到消费性市场需求低迷影响，品安今年经营陷入低潮，截至今年上半年每股净损0.34元，9月营收为8374万元新台币，同比下降33.42%，值得注意的是，品安单月营收已连续14个月同比录得负增长。

截至2024年三季度末，德明利存货金额为34.51亿元，较上年末增加78.63%，占公司总资产比重上升8.64个百分点。

SK海力士此前是使用2D设备检查翘曲和裂纹，但2D设备在分析芯片翘曲程度以及翘曲区域裂纹程度方面存在局限性。而Nextinn的设备采用3D技术，可确检测DRAM 中出现的缺陷，可极大地提高SK海力士12层HBM3E的生产率。

聚辰股份已初步形成了较为成熟的NOR Flash和汽车级 EEPROM 产品系列，客户认可度及品牌影响力不断提升，市场应用快速增长，产品第三季度的销量已分别超过和接近整个上半年的出货量，成为收入增长的重要驱动力。

东芯股份表示，自2024年以来，其积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售，产品销量较去年同期相比显著增长，并实现了营业收入连续两季度的同比及环比增长。

三星电子计划于2027年推出V11 NAND，进一步发展其堆叠技术，数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片， 以实现更高的密度和存储能力。

今年1-9月韩国存储器出口地区中，中国大陆地区占比降至37.9%，直到今年5月份这一占比一直保持在40%的区间，6月份下降至39%，此后继续下降。

他还强调，半导体行业现在的任务是及时供应HBM，而不是担心减少AI投资。这是因为开发下一代HBM的技术难度不断增加，并且由于产量下降和客户认证等因素，供应可能会中断。

HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始，预计HBM4测试产品将于明年初左右发布，验证产品的运行后，预计将进行设计和工艺改进。