消息称三星重新设计HBM3E，未通过质量测试与“发热问题”无关

据业界消息，三星电子近日开始重新设计其HBM3E 12层产品，并将于5月再次接受英伟达的质量测试。此前三星电子向英伟达发送了一份HBM3E 12层样品，但在性能方面未达要求。

另据韩媒报道，三星电子高级研究员金在春近日在学术会议上表示，“客户准确地指出了缺陷，并要求解决问题，与有些人猜测的过热问题没有任何关系”。

三星电子加入英伟达供应链的计划一再被推迟。自去年第二季度以来，通过质量测试的期望一直在上升。三星电子在去年第三季度的电话会议中表示，“我们在完成HBM3E质量测试的重要步骤方面取得了重大进展。第四季度将有可能扩大销售。”但目前还未得到证实。第四季度电话会议中甚至没有提到这一点。业界认为，发热、能效和产量问题是未能通过英伟达质量测试的原因。 

在学术会议上，金研究员以‘先进PKG热设计’为主题进行了演讲。他表示，“三星判断接合处的厚度是HBM发热的关键因素，目前已将其做得更薄了。”他补充道：“得益于热压（TC）-非导电胶膜（NCF）工艺的特点，焊点厚度比MR-MUF（模塑回流-底部填充）工艺更薄。这是业内最好的。”

金研究员表示：“影响 HBM 热阻的部分是键合层和裸层。从封装角度来看，我们可以讨论键合层，可以控制材料特性、凸块数量等。从设计上来说，金属含量越高越好，我们有信心这是业内最高的。” 

他还列举了 3D 封装需要解决的关键挑战：▲高功率和功率密度▲逻辑和 HBM 之间的热干扰▲逻辑和 HBM 之间的热设计标准差异▲传热材料（TIM）▲3D 多层堆叠结构▲薄芯片厚度▲异种金属键合。