公开资料显示，大普微自2018年6月以来已完成了10轮融资，投资方包括深投控资本、松禾资本、广州淡水泉、国盛资本、启赋资本、七匹狼控股、前海众微资本及麒麟创投等知名投资机构。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品，且计划将搭载在HBM4上，在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式，新方案有望实现至少大一倍的存储容量，同时将耗电量减少40%，并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计，并评估量产可行性，力争在2030年前实现商业化。

适逢端午节假期，按国家规定放假3天，即5月31日-6月2日放假，6月2日所有产品均暂停报价，6月3日（星期二）恢复报价。

目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证，但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前，后续则尚未明朗。

根据三星HBM产品规划，计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作，开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知，近期现货DDR4价格剧烈波动，为更好地反映市场情况，CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

SK海力士财务报告显示，第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元，占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元，占同期总营收的50%。

英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列，预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

上月，存储芯片相关产业链中长江存储母公司长空集团、康芯微等企业也顺利完成融资。

HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即5月1日-5月5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日所有产品恢复报价。