SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试，为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助，这一金额比此前初步交易备忘录（PMT）中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外，CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。

亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此，三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务，这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是，这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。

据韩媒报道，美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会，史无前例的“当日招聘（针对预申请者）”，成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果，美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。

三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。

据业界消息，为了满足苹果iPhone的要求，三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装，这意味着LPDDR将与系统半导体分开（即分立）封装，预计这一改变将在2026年实现，旨在扩大设备端AI的内存带宽。

美国近日升级对中国出口管制，据CFM闪存市场梳理，在BIS发布的具体文件中，对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制，删除此前“18nm及以下节点”的描述，进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。

三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段，正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。

随着外围核心和存储单元的分离，预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示，下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。

黄仁勋表示，英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA，SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高，预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示，美国占SK海力士第三季度销售额的64%，比上一季度增长5个百分点，同比增长17个百分点，创下历史新高。