根据三星HBM产品规划，计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作，开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知，近期现货DDR4价格剧烈波动，为更好地反映市场情况，CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

SK海力士财务报告显示，第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元，占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元，占同期总营收的50%。

英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列，预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

上月，存储芯片相关产业链中长江存储母公司长空集团、康芯微等企业也顺利完成融资。

HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即5月1日-5月5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日所有产品恢复报价。

2024年第四季度，东芯股份营业收入为1.94亿元，同比增长21.6%；归母净利润自去年同期亏损1.6亿元变为亏损3680万元，亏损有所减少。

主要受惠于优化产品组合与库存调整奏效，加上近期客户为因应政策风险提前下单，有助提升出货与价格弹性。

此前美国征收的“对等关税”政策中，包括存储芯片在内的半导体并未被直接纳入加征关税范围。目前，全球约30%的NAND Flash产能在中国，其次是韩国（约25%）、日本（约20%）和美国（约15%）等。如果针对存储半导体的专项关税出台将会对行业造成显著冲击。

JEDEC固态技术协会宣布发布HBM4标准JESD270-4，通过 2048-bit接口的传输速度高达 8 Gb/s，HBM4 将总带宽提升至 2 TB/s。

据韩媒报道，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%，该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。

这一增长主要得益于随着人工智能市场扩张，HBM的需求持续增长。