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DRAM产品受地区性经济不景气与地域冲突影响颇深,常规DRAM产品(DDR4/LPDDR4/DDR3)库存去化,需时比预期长,或将于明年上半年才能拨云见日。

今年第一季度,三星电子DS部门经营利润转正至1.91万亿韩元,但不及SK海力士的2.89万亿韩元,这也是其市况最佳的2018年以来同期第二高。

据CFM闪存市场最新报价,由于下游需求疲软近期NAND Flash Wafer价格下跌,其中,1Tb QLC 跌 8.62% 至 $5.30,1Tb TLC 跌 5.97% 至 $6.30,512Gb TLC 跌 8.11% 至 $3.40,256Gb TLC价格保持平稳。

韩国9月半导体出口额为136亿美元,同比大增37.1%,连续11个月保持增势,且时隔三个月再创新高,打消了“半导体寒冬”的担忧。

适逢国庆假期,按国家规定放假7天,即10月1-7日放假,放假期间暂停所有产品报价,10月8日(星期二)恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。

今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

最新消息称,铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后,主因近期全球半导体类股表现疲弱,股价出现较大幅度下跌,铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。

据证监会网站显示,武汉新芯IPO辅导状态已于近日变更为“辅导验收”。这表明武汉新芯已完成了必要的准备工作,正朝着IPO的目标稳步前进。

十铨表示,本次合作首波以专为电影创作者而生的T-CREATE系列为始,包含CinemaPr P31移动外接式SSD及DRAM与SSD产品线作为攻占市场战力。

在DRAM制程方面,不同于DDR4/LPDDR4/4X普遍采用1y/1z nm等制程,DDR5/LPDDR5X/HBM3E需要采用更加先进的1a/1b nm制程以提高性能和单位容量。目前,三星电子和SK海力士均在积极推进1b DRAM先进制程的增产工作。

适逢中秋节假期,按国家规定放假3天,即9月15-17日放假,9月14日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价,9月16、17日所有产品均暂停报价,9月18日(星期三)恢复所有产品报价。

消息称,三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。

从这三大台系存储原厂发布的业绩数据来看,旺宏电子、南亚科技8月营收均实现同比、环比双重攀升,华邦电子虽环比略微回落,但同比亦录得正增长。而从累计营收来看,南亚科技和华邦电子均实现同比增长。

股市快讯 更新于: 05-22 05:14,数据存在延时

存储原厂
三星电子55700KRW-0.36%
SK海力士200500KRW-0.74%
铠侠2173JPY-0.59%
美光科技95.840USD-2.30%
西部数据49.490USD-2.25%
闪迪38.600USD-3.93%
南亚科技43.65TWD-3.54%
华邦电子18.15TWD-2.16%
主控厂商
群联电子513TWD+1.79%
慧荣科技64.710USD-0.60%
联芸科技40.25CNY-0.86%
点序58.7TWD+2.44%
品牌/模组
江波龙75.25CNY-1.30%
希捷科技104.430USD-2.37%
宜鼎国际245.5TWD+0.20%
创见资讯105.5TWD+1.93%
威刚科技93.0TWD+0.32%
世迈科技18.100USD-3.98%
朗科科技23.69CNY-4.24%
佰维存储60.09CNY-2.36%
德明利116.54CNY-1.50%
大为股份14.44CNY-1.77%
封测厂商
华泰电子37.10TWD+1.64%
力成118.5TWD+1.72%
长电科技33.07CNY-0.81%
日月光144.5TWD+0.35%
通富微电24.27CNY-0.98%
华天科技9.13CNY-0.98%