编辑:Andy 发布:2025-04-03 14:47
据韩媒报道,SK海力士副总裁李圭(音译)近日在学术会议上表示,SK海力士正在推行混合键合在 HBM 上的应用。目前正处于研发阶段,预计最早将应用于HBM4E。
据他介绍,目前客户对HBM的要求为:增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合键合就是可以满足此类需求的技术。它减少了 HBM 上堆叠的 DRAM 之间的间隙,从而实现更快的信号传输,并以更低的电阻降低功耗。
混合键合技术预计不仅可应用于HBM,还可应用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副总裁姜志浩(音译)表示,“目前的做法是分别创建DRAM单元区域和外围区域,然后使用混合键合将它们结合在一起,采用3D结构,将有可能克服当前2D形式DRAM的电路小型化限制。NAND也可以通过类似的结构来增加层数。”
不过,普遍的看法是混合键合技术商业化需要时间,因为这项技术需要大规模转型投资,从经济角度来解决这个问题,需要进一步改进现有技术。
存储原厂 |
三星电子 | 67100 | KRW | +0.60% |
SK海力士 | 269000 | KRW | -0.19% |
铠侠 | 2353 | JPY | -2.53% |
美光科技 | 114.390 | USD | +1.00% |
西部数据 | 68.000 | USD | +1.46% |
闪迪 | 42.190 | USD | +1.61% |
南亚科技 | 42.25 | TWD | -1.97% |
华邦电子 | 17.65 | TWD | -1.40% |
主控厂商 |
群联电子 | 509 | TWD | -0.20% |
慧荣科技 | 73.320 | USD | +0.22% |
联芸科技 | 42.01 | CNY | +0.99% |
点序 | 53.4 | TWD | -1.48% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.35 | CNY | -2.25% |
希捷科技 | 149.075 | USD | +1.61% |
宜鼎国际 | 226.5 | TWD | -1.95% |
创见资讯 | 90.8 | TWD | -1.09% |
威刚科技 | 91.9 | TWD | -1.61% |
世迈科技 | 24.430 | USD | -1.81% |
朗科科技 | 24.97 | CNY | +4.78% |
佰维存储 | 63.09 | CNY | -2.59% |
德明利 | 82.22 | CNY | -1.73% |
大为股份 | 17.19 | CNY | -0.58% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.25 | TWD | 0.00% |
力成 | 138.5 | TWD | -0.72% |
长电科技 | 33.93 | CNY | -0.09% |
日月光 | 154.0 | TWD | +1.65% |
通富微电 | 25.96 | CNY | -0.35% |
华天科技 | 9.99 | CNY | +0.71% |
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