编辑:Andy 发布:2025-04-03 14:47
据韩媒报道,SK海力士副总裁李圭(音译)近日在学术会议上表示,SK海力士正在推行混合键合在 HBM 上的应用。目前正处于研发阶段,预计最早将应用于HBM4E。
据他介绍,目前客户对HBM的要求为:增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合键合就是可以满足此类需求的技术。它减少了 HBM 上堆叠的 DRAM 之间的间隙,从而实现更快的信号传输,并以更低的电阻降低功耗。
混合键合技术预计不仅可应用于HBM,还可应用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副总裁姜志浩(音译)表示,“目前的做法是分别创建DRAM单元区域和外围区域,然后使用混合键合将它们结合在一起,采用3D结构,将有可能克服当前2D形式DRAM的电路小型化限制。NAND也可以通过类似的结构来增加层数。”
不过,普遍的看法是混合键合技术商业化需要时间,因为这项技术需要大规模转型投资,从经济角度来解决这个问题,需要进一步改进现有技术。
存储原厂 |
三星电子 | 61400 | KRW | -0.49% |
SK海力士 | 282000 | KRW | +4.06% |
铠侠 | 2554 | JPY | +3.82% |
美光科技 | 119.920 | USD | -1.85% |
西部数据 | 65.215 | USD | -1.31% |
闪迪 | 45.220 | USD | -2.56% |
南亚科技 | 48.50 | TWD | -0.82% |
华邦电子 | 18.90 | TWD | -1.05% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.5 | TWD | -0.42% |
慧荣科技 | 73.800 | USD | -1.35% |
联芸科技 | 40.98 | CNY | +0.71% |
点序 | 51.3 | TWD | -0.39% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.68 | CNY | +1.43% |
希捷科技 | 148.390 | USD | -0.70% |
宜鼎国际 | 238.5 | TWD | -1.65% |
创见资讯 | 100.5 | TWD | -4.29% |
威刚科技 | 93.5 | TWD | -0.53% |
世迈科技 | 20.940 | USD | +0.34% |
朗科科技 | 24.22 | CNY | +2.85% |
佰维存储 | 65.54 | CNY | +1.58% |
德明利 | 121.35 | CNY | -0.34% |
大为股份 | 18.67 | CNY | +0.27% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.70 | TWD | -1.18% |
力成 | 134.0 | TWD | +0.75% |
长电科技 | 33.55 | CNY | +1.82% |
日月光 | 143.0 | TWD | -0.69% |
通富微电 | 25.23 | CNY | +1.24% |
华天科技 | 9.92 | CNY | +0.81% |
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