编辑:Andy 发布:2025-04-03 14:47
据韩媒报道,SK海力士副总裁李圭(音译)近日在学术会议上表示,SK海力士正在推行混合键合在 HBM 上的应用。目前正处于研发阶段,预计最早将应用于HBM4E。
据他介绍,目前客户对HBM的要求为:增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合键合就是可以满足此类需求的技术。它减少了 HBM 上堆叠的 DRAM 之间的间隙,从而实现更快的信号传输,并以更低的电阻降低功耗。
混合键合技术预计不仅可应用于HBM,还可应用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副总裁姜志浩(音译)表示,“目前的做法是分别创建DRAM单元区域和外围区域,然后使用混合键合将它们结合在一起,采用3D结构,将有可能克服当前2D形式DRAM的电路小型化限制。NAND也可以通过类似的结构来增加层数。”
不过,普遍的看法是混合键合技术商业化需要时间,因为这项技术需要大规模转型投资,从经济角度来解决这个问题,需要进一步改进现有技术。
 
                    | 存储原厂 | 
| 三星电子 | 107500 | KRW | +3.27% | 
| SK海力士 | 559000 | KRW | -1.58% | 
| 铠侠 | 10825 | JPY | -0.69% | 
| 美光科技 | 225.415 | USD | +0.63% | 
| 西部数据 | 151.160 | USD | +9.43% | 
| 闪迪 | 199.420 | USD | +1.84% | 
| 南亚科技 | 132.5 | TWD | -1.49% | 
| 华邦电子 | 54.2 | TWD | -1.81% | 
| 主控厂商 | 
| 群联电子 | 1065 | TWD | -4.05% | 
| 慧荣科技 | 98.300 | USD | -1.66% | 
| 联芸科技 | 57.18 | CNY | -5.95% | 
| 点序 | 78.6 | TWD | -1.87% | 
| 品牌/模组 | 
| 江波龙 | 261.31 | CNY | -7.66% | 
| 希捷科技 | 260.260 | USD | -3.01% | 
| 宜鼎国际 | 431.0 | TWD | +0.58% | 
| 创见资讯 | 132.5 | TWD | -1.12% | 
| 威刚科技 | 198.0 | TWD | -0.50% | 
| 世迈科技 | 22.365 | USD | -0.33% | 
| 朗科科技 | 30.45 | CNY | -3.97% | 
| 佰维存储 | 131.00 | CNY | -3.46% | 
| 德明利 | 228.24 | CNY | +0.95% | 
| 大为股份 | 28.02 | CNY | +3.89% | 
| 封测厂商 | 
| 华泰电子 | 48.60 | TWD | +0.83% | 
| 力成 | 173.0 | TWD | -2.26% | 
| 长电科技 | 40.02 | CNY | -3.80% | 
| 日月光 | 247.5 | TWD | +10.00% | 
| 通富微电 | 42.45 | CNY | -4.99% | 
| 华天科技 | 12.06 | CNY | -1.71% | 
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