SK海力士：混合键合不仅可用于HBM，还可用于3D DRAM和NAND Flash

据韩媒报道，SK海力士副总裁李圭（音译）近日在学术会议上表示，SK海力士正在推行混合键合在 HBM 上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。

据他介绍，目前客户对HBM的要求为：增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合键合就是可以满足此类需求的技术。它减少了 HBM 上堆叠的 DRAM 之间的间隙，从而实现更快的信号传输，并以更低的电阻降低功耗。

混合键合技术预计不仅可应用于HBM，还可应用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副总裁姜志浩（音译）表示，“目前的做法是分别创建DRAM单元区域和外围区域，然后使用混合键合将它们结合在一起，采用3D结构，将有可能克服当前2D形式DRAM的电路小型化限制。NAND也可以通过类似的结构来增加层数。”

不过，普遍的看法是混合键合技术商业化需要时间，因为这项技术需要大规模转型投资，从经济角度来解决这个问题，需要进一步改进现有技术。