消息人士透露，SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。

在硬件成本攀升的影响下，预计年底旗舰新机将集体迎来涨价浪潮，部分高端机型入门价格将达到4000至5000元，高配版本甚至突破5500元，这将考验手机厂商的市场策略和消费者的购买力，国产品牌如小米、vivo和OPPO等将如何应对则成为市场关注的焦点。

据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。

尽管铠侠和贝恩资本仍在寻找合适的时机进行首次公开募股（IPO），但市场观察者普遍预计，这一目标可能无法在年内实现。

美光正在对其第二款内存扩展模块 CZ122 进行送样，并正为量产做准备。CZ122 是 CZ120 的演进版，增加了基于硬件的异构交错功能，以实现更好的系统级性能、附加 RAS、改进的安全功能和增强的可管理性。

近期有消息称，由于最新一代HBM3E（第五代HBM）8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期，三星电子计划将明年年底HBM的最大产能目标由20万片/月下调至17万片/月，被消减的3万片已改为后期投资。

十铨科技指出，虽然消费性产品终端需求依然疲弱，但看好高端电竞电脑以及生成式AI相关应用设备后市可望迎来成长，将灵活经营策略做好最佳的准备。

募集资金主要投向包括PCIe SSD存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、信息化系统升级建设项目及补充流动资金。

DRAM产品受地区性经济不景气与地域冲突影响颇深，常规DRAM产品(DDR4/LPDDR4/DDR3)库存去化，需时比预期长，或将于明年上半年才能拨云见日。

今年第一季度，三星电子DS部门经营利润转正至1.91万亿韩元，但不及SK海力士的2.89万亿韩元，这也是其市况最佳的2018年以来同期第二高。

据CFM闪存市场最新报价，由于下游需求疲软近期NAND Flash Wafer价格下跌，其中，1Tb QLC 跌 8.62% 至 $5.30，1Tb TLC 跌 5.97% 至 $6.30，512Gb TLC 跌 8.11% 至 $3.40，256Gb TLC价格保持平稳。

韩国9月半导体出口额为136亿美元，同比大增37.1%，连续11个月保持增势，且时隔三个月再创新高，打消了“半导体寒冬”的担忧。

适逢国庆假期，按国家规定放假7天，即10月1-7日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月8日（星期二）恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。