据韩媒报道,美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会,史无前例的“当日招聘(针对预申请者)”,成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。
美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果,美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。
三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程,生产可能会在第二季度末开始。
据业界消息,为了满足苹果iPhone的要求,三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装,这意味着LPDDR将与系统半导体分开(即分立)封装,预计这一改变将在2026年实现,旨在扩大设备端AI的内存带宽。
美国近日升级对中国出口管制,据CFM闪存市场梳理,在BIS发布的具体文件中,对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制,删除此前“18nm及以下节点”的描述,进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。
三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段,正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。
随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。
Song Jae-hyuk表示,下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中,下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。
三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。
黄仁勋表示,英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。
随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。
据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。
除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。
MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。
在2025年及之后,各存储原厂的投资扩产重点将放在更尖端技术领域。
存储原厂 |
三星电子 | 61000 | KRW | +0.99% |
SK海力士 | 297000 | KRW | +5.69% |
铠侠 | 2557 | JPY | -5.58% |
美光科技 | 122.240 | USD | -1.75% |
西部数据 | 64.640 | USD | +0.97% |
闪迪 | 46.200 | USD | +0.06% |
南亚科技 | 47.15 | TWD | -2.58% |
华邦电子 | 18.50 | TWD | -2.37% |
主控厂商 |
群联电子 | 493.0 | TWD | +1.44% |
慧荣科技 | 74.710 | USD | +3.28% |
联芸科技 | 40.48 | CNY | +0.40% |
点序 | 51.4 | TWD | -0.19% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.53 | CNY | -1.77% |
希捷科技 | 142.010 | USD | -1.70% |
宜鼎国际 | 242.0 | TWD | -0.21% |
创见资讯 | 96.9 | TWD | -3.00% |
威刚科技 | 94.7 | TWD | -2.57% |
世迈科技 | 23.430 | USD | +10.57% |
朗科科技 | 23.31 | CNY | -1.69% |
佰维存储 | 65.71 | CNY | +1.09% |
德明利 | 83.10 | CNY | -4.25% |
大为股份 | 17.57 | CNY | -1.95% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | +0.27% |
力成 | 135.5 | TWD | -0.73% |
长电科技 | 33.08 | CNY | -0.30% |
日月光 | 150.0 | TWD | +2.39% |
通富微电 | 24.91 | CNY | -0.20% |
华天科技 | 9.77 | CNY | +0.10% |
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