三星电子计划于2027年推出V11 NAND，进一步发展其堆叠技术，数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片， 以实现更高的密度和存储能力。

今年1-9月韩国存储器出口地区中，中国大陆地区占比降至37.9%，直到今年5月份这一占比一直保持在40%的区间，6月份下降至39%，此后继续下降。

他还强调，半导体行业现在的任务是及时供应HBM，而不是担心减少AI投资。这是因为开发下一代HBM的技术难度不断增加，并且由于产量下降和客户认证等因素，供应可能会中断。

HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始，预计HBM4测试产品将于明年初左右发布，验证产品的运行后，预计将进行设计和工艺改进。

台湾地区存储模组厂品安发布公告称，金士顿法人董事身份因转让持股超过当选时持股数二分之一而自然解任，其代表人为郭锦标。据悉，金士顿于2012年入股品安，之后品安逐步转型为金士顿代工厂。

SK海力士CEO郭鲁正最新表示，“明年AI领域也将达到相当值得期待的水平。PC和移动市场正在增长，但速度缓慢，出现了一些停滞状态。得益于AI的需求，明年会好一点。”

华邦电子总经理陈沛铭指出，台中厂将从四季度开始减产，稼动率降至8成，但仍看好2025年营运将能优于2024年，包括网通、消费性应用等需求将可望复苏，且16nm制程将2025年推出。

消息人士透露，SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。

在硬件成本攀升的影响下，预计年底旗舰新机将集体迎来涨价浪潮，部分高端机型入门价格将达到4000至5000元，高配版本甚至突破5500元，这将考验手机厂商的市场策略和消费者的购买力，国产品牌如小米、vivo和OPPO等将如何应对则成为市场关注的焦点。

据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。

尽管铠侠和贝恩资本仍在寻找合适的时机进行首次公开募股（IPO），但市场观察者普遍预计，这一目标可能无法在年内实现。

美光正在对其第二款内存扩展模块 CZ122 进行送样，并正为量产做准备。CZ122 是 CZ120 的演进版，增加了基于硬件的异构交错功能，以实现更好的系统级性能、附加 RAS、改进的安全功能和增强的可管理性。

近期有消息称，由于最新一代HBM3E（第五代HBM）8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期，三星电子计划将明年年底HBM的最大产能目标由20万片/月下调至17万片/月，被消减的3万片已改为后期投资。

十铨科技指出，虽然消费性产品终端需求依然疲弱，但看好高端电竞电脑以及生成式AI相关应用设备后市可望迎来成长，将灵活经营策略做好最佳的准备。

募集资金主要投向包括PCIe SSD存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、信息化系统升级建设项目及补充流动资金。