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据韩媒报道,美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会,史无前例的“当日招聘(针对预申请者)”,成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果,美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。

三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程,生产可能会在第二季度末开始。

据业界消息,为了满足苹果iPhone的要求,三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装,这意味着LPDDR将与系统半导体分开(即分立)封装,预计这一改变将在2026年实现,旨在扩大设备端AI的内存带宽。

美国近日升级对中国出口管制,据CFM闪存市场梳理,在BIS发布的具体文件中,对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制,删除此前“18nm及以下节点”的描述,进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。

三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段,正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。

随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示,下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中,下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

黄仁勋表示,英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。

据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。

在2025年及之后,各存储原厂的投资扩产重点将放在更尖端技术领域。

股市快讯 更新于: 07-10 19:28,数据存在延时

存储原厂
三星电子61000KRW+0.99%
SK海力士297000KRW+5.69%
铠侠2557JPY-5.58%
美光科技122.240USD-1.75%
西部数据64.640USD+0.97%
闪迪46.200USD+0.06%
南亚科技47.15TWD-2.58%
华邦电子18.50TWD-2.37%
主控厂商
群联电子493.0TWD+1.44%
慧荣科技74.710USD+3.28%
联芸科技40.48CNY+0.40%
点序51.4TWD-0.19%
品牌/模组
江波龙80.53CNY-1.77%
希捷科技142.010USD-1.70%
宜鼎国际242.0TWD-0.21%
创见资讯96.9TWD-3.00%
威刚科技94.7TWD-2.57%
世迈科技23.430USD+10.57%
朗科科技23.31CNY-1.69%
佰维存储65.71CNY+1.09%
德明利83.10CNY-4.25%
大为股份17.57CNY-1.95%
封测厂商
华泰电子37.55TWD+0.27%
力成135.5TWD-0.73%
长电科技33.08CNY-0.30%
日月光150.0TWD+2.39%
通富微电24.91CNY-0.20%
华天科技9.77CNY+0.10%