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3月12日,CFMS|MemoryS 2025与您再度相约深圳前海JW万豪酒店,以“存储格局、价值重塑”为主题,旨在探讨技术和产品创新如何为客户创造更大价值,以“价值”为导向实现存储产业链的重塑、推动产业的升级。

三星电子原计划在今年上半年量产HBM3E产品,供应NVIDIA等,下半年量产下一代HBM“HBM4”产品,但最近似乎改变了目标根据市场情况提前推进时间表。

SK集团董事长崔泰源特别强调了SK海力士的开发能力,“过去,SK海力士的开发速度略落后于英伟达的步伐,不过,现在我可以自信地说,SK海力士的开发速度稍微领先于英伟达。”且今年的(HBM)供应量已经在工作层面决定了。

十铨将持续扩大市场经营布局,开拓B2B及工控领域,在多元应用的存储方案驱动下,期待新一年营运绩效再创高峰。

2024年前11个月,韩国主打出口产品中固态硬盘(SSD)对美出口占比大升,对华(含香港)则骤降。

适逢元旦假期,按照国家节假日规定,放假1天,即2025年1月1日放假。放假期间,停止所有产品报价,1月2日(周四)恢复所有产品报价。

品安透露,为应对DRAM产业起伏不定,与物价通膨趋势等非预期事件冲击,拟定最符合未来价值需求竞争策略,将调降DRAM生产比重,朝向跨足多重领域,提高非DRAM营收,分散经营风险,转型多元制造智能工厂。

业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。

SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试,为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助,这一金额比此前初步交易备忘录(PMT)中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外,CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。

亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此,三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务,这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是,这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备,生产10纳米级第六代DRAM。

据韩媒报道,美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会,史无前例的“当日招聘(针对预申请者)”,成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果,美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。

三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程,生产可能会在第二季度末开始。

股市快讯 更新于: 07-02 00:07,数据存在延时

存储原厂
三星电子60200KRW+0.67%
SK海力士285500KRW-2.23%
铠侠2363JPY-5.59%
美光科技120.554USD-2.19%
西部数据63.570USD-0.66%
闪迪44.720USD-1.39%
南亚科技49.50TWD-3.32%
华邦电子19.85TWD-1.49%
主控厂商
群联电子490.5TWD-0.10%
慧荣科技74.840USD-0.44%
联芸科技41.15CNY-0.65%
点序54.0TWD+0.75%
品牌/模组
江波龙85.09CNY-2.74%
希捷科技143.990USD-0.24%
宜鼎国际240.0TWD+1.27%
创见资讯102.5TWD+1.99%
威刚科技93.8TWD+0.21%
世迈科技20.140USD+1.67%
朗科科技24.36CNY-1.54%
佰维存储67.80CNY+0.59%
德明利118.69CNY+0.30%
大为股份20.00CNY+3.57%
封测厂商
华泰电子38.80TWD+1.04%
力成131.5TWD0.00%
长电科技33.97CNY+0.83%
日月光145.5TWD-1.36%
通富微电25.90CNY+1.09%
华天科技10.78CNY+6.73%