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干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。

十铨表示,尽管全球总体经济环境仍充满不确定性,其主要产品线仍持续稳定出货,其中,AI与工控应用需求稳定增长,主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面,公司已提前启动采购与备货规划,维持出货节奏与应用端需求接轨,强化整体竞争力与市场布局。

Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场,目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺,并正在导入研发和量产线。

负责半导体业务的DS部门将于18日召开会议,预计将重点讨论如何提升技术竞争力,以应对高带宽存储器(HBM)和代工业务表现不佳的问题。

公开资料显示,大普微自2018年6月以来已完成了10轮融资,投资方包括深投控资本、松禾资本、广州淡水泉、国盛资本、启赋资本、七匹狼控股、前海众微资本及麒麟创投等知名投资机构。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品,且计划将搭载在HBM4上,在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。

适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即5月31日-6月2日放假,6月2日所有产品均暂停报价,6月3日(星期二)恢复报价。

目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前,后续则尚未明朗。

根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知,近期现货DDR4价格剧烈波动,为更好地反映市场情况,CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

SK海力士财务报告显示,第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元,占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元,占同期总营收的50%。

英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列,预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块(CMM)-D,三星提出的下一代CXL解决方案,是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid(H),在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

股市快讯 更新于: 10-11 10:47,数据存在延时

存储原厂
三星电子94400KRW+6.07%
SK海力士428000KRW+8.22%
铠侠6160JPY-0.96%
美光科技181.600USD-5.58%
西部数据115.420USD-3.58%
闪迪116.910USD-9.85%
南亚科技98.5TWD+8.48%
华邦电子43.45TWD+5.33%
主控厂商
群联电子882TWD+3.16%
慧荣科技85.800USD-8.89%
联芸科技57.50CNY-7.93%
点序73.5TWD+9.87%
品牌/模组
江波龙180.01CNY-3.32%
希捷科技214.380USD-3.30%
宜鼎国际405.0TWD+9.91%
创见资讯121.0TWD+3.42%
威刚科技179.5TWD+2.28%
世迈科技21.160USD-3.99%
朗科科技29.03CNY-3.55%
佰维存储96.50CNY-9.59%
德明利198.00CNY-4.84%
大为股份21.51CNY-0.78%
封测厂商
华泰电子52.4TWD+9.85%
力成159.0TWD+0.63%
长电科技43.77CNY-6.87%
日月光179.0TWD+2.58%
通富微电45.60CNY+3.19%
华天科技11.78CNY+4.16%