编辑:Andy 发布:2024-11-28 15:04
据韩媒报道,业界消息称,三星电子正在寻求将 FinFET 技术用于大规模生产10nm以下的DRAM,此举主要为了提高DRAM外围设备和核心芯片的性能。
未来DRAM的结构将转变为分别生产外围/核心芯片和存储单元芯片,然后将它们堆叠起来。FinFET技术仅应用于生产单元驱动电路区域的外围和核心芯片,DRAM存储单元使用垂直沟道晶体管 (VCT) 或埋入沟道阵列晶体管 (BCAT)。
FinFET是一种主要用于逻辑芯片生产的晶体管结构。与平面型相比,栅极和沟道之间的接触面积更大,具有提高半导体性能和减少漏电流的优点。该技术用于三星电子的14nm及以下代工工艺。
随着DRAM外围和核心的结构改为FinFET,预计芯片性能和功率效率将得得以提高。用于现有DRAM量产的BCAT具有针对DRAM优化的结构,但在逻辑芯片的量产中存在局限性。此外,随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。
除三星电子外,SK海力士似乎也准备推出FinFET工艺。SK海力士于今年7月发布了FinFET工艺相关经验工人的招聘启事,招聘包括FinFET器件开发、曝光、蚀刻、沉积和清洗等工艺相关的经验丰富的工人。
目前FinFET结构应用于外围和核心芯片的具体时间尚未确定,业界预测FinFET技术最早将在2027年应用于DRAM量产。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 98800 | KRW | +2.38% |
| SK海力士 | 510000 | KRW | +6.58% |
| 铠侠 | 8780 | JPY | +19.13% |
| 美光科技 | 219.020 | USD | +5.96% |
| 西部数据 | 129.430 | USD | +2.95% |
| 闪迪 | 186.160 | USD | +11.44% |
| 南亚科技 | 109.5 | TWD | -0.45% |
| 华邦电子 | 46.30 | TWD | +1.87% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 880 | TWD | +1.27% |
| 慧荣科技 | 99.130 | USD | +4.31% |
| 联芸科技 | 61.14 | CNY | +13.22% |
| 点序 | 79.5 | TWD | +2.19% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 222.00 | CNY | +16.73% |
| 希捷科技 | 234.120 | USD | +3.41% |
| 宜鼎国际 | 426.5 | TWD | +1.31% |
| 创见资讯 | 131.0 | TWD | +0.38% |
| 威刚科技 | 186.5 | TWD | +3.04% |
| 世迈科技 | 22.400 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 33.18 | CNY | +8.93% |
| 佰维存储 | 119.10 | CNY | +10.70% |
| 德明利 | 216.92 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 23.25 | CNY | +9.98% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.05 | TWD | -1.77% |
| 力成 | 150.0 | TWD | -0.99% |
| 长电科技 | 40.95 | CNY | +2.81% |
| 日月光 | 196.0 | TWD | +1.55% |
| 通富微电 | 41.88 | CNY | +5.46% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | +1.36% |
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