权威的存储市场资讯平台English

三星电子3D NAND技术突破:光刻胶用量减半降成本

编辑:Andy 发布:2024-11-26 16:11

据业界消息,三星电子最近制定了工艺路线图,在最新的3D NAND闪存工艺中将PR(光刻胶)应用量减少近一半,从而成功降低成本。

此前,每次涂抹使用量为7-8cc,改进工艺后,用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 11-06 23:47,数据存在延时

存储原厂
三星电子99200KRW-1.39%
SK海力士593000KRW+2.42%
铠侠11500JPY+9.06%
美光科技235.747USD-0.74%
西部数据163.605USD+2.19%
闪迪207.390USD-4.21%
南亚科技148.0TWD+7.25%
华邦电子59.0TWD+5.36%
主控厂商
群联电子1160TWD+6.91%
慧荣科技95.840USD-2.96%
联芸科技55.07CNY+2.00%
点序72.6TWD+2.98%
品牌/模组
江波龙268.80CNY+3.78%
希捷科技278.210USD+0.88%
宜鼎国际455.0TWD+3.06%
创见资讯135.0TWD+4.65%
威刚科技192.5TWD+2.94%
世迈科技21.630USD-2.57%
朗科科技29.50CNY+0.51%
佰维存储128.00CNY+2.48%
德明利247.14CNY+10.00%
大为股份28.07CNY+1.34%
封测厂商
华泰电子48.40TWD+1.04%
力成170.0TWD-1.45%
长电科技39.69CNY+2.08%
日月光234.0TWD-0.43%
通富微电41.62CNY+3.64%
华天科技11.96CNY+1.01%