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三星电子3D NAND技术突破:光刻胶用量减半降成本

编辑:Andy 发布:2024-11-26 16:11

据业界消息,三星电子最近制定了工艺路线图,在最新的3D NAND闪存工艺中将PR(光刻胶)应用量减少近一半,从而成功降低成本。

此前,每次涂抹使用量为7-8cc,改进工艺后,用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

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股市快讯 更新于: 07-12 09:25,数据存在延时

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