权威的存储市场资讯平台English

三星电子3D NAND技术突破:光刻胶用量减半降成本

编辑:Andy 发布:2024-11-26 16:11

据业界消息,三星电子最近制定了工艺路线图,在最新的3D NAND闪存工艺中将PR(光刻胶)应用量减少近一半,从而成功降低成本。

此前,每次涂抹使用量为7-8cc,改进工艺后,用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 06-13 06:26,数据存在延时

存储原厂
三星电子59500KRW-0.67%
SK海力士235500KRW-1.88%
铠侠2088JPY-4.70%
美光科技116.180USD+0.13%
西部数据55.780USD+0.20%
闪迪41.300USD+2.66%
南亚科技54.1TWD+2.66%
华邦电子18.80TWD0.00%
主控厂商
群联电子542TWD+0.18%
慧荣科技67.470USD+0.72%
联芸科技38.14CNY-0.73%
点序59.5TWD-2.94%
品牌/模组
江波龙73.32CNY-0.01%
希捷科技126.070USD-0.33%
宜鼎国际244.5TWD-0.81%
创见资讯105.0TWD-3.23%
威刚科技96.7TWD-1.12%
世迈科技20.040USD-1.67%
朗科科技22.47CNY+0.13%
佰维存储59.58CNY-1.13%
德明利122.63CNY+1.87%
大为股份15.61CNY-3.04%
封测厂商
华泰电子41.20TWD+1.23%
力成130.0TWD0.00%
长电科技32.12CNY-0.56%
日月光145.0TWD-0.34%
通富微电23.33CNY-0.89%
华天科技8.82CNY-0.11%