权威的存储市场资讯平台English

三星电子3D NAND技术突破:光刻胶用量减半降成本

编辑:Andy 发布:2024-11-26 16:11

据业界消息,三星电子最近制定了工艺路线图,在最新的3D NAND闪存工艺中将PR(光刻胶)应用量减少近一半,从而成功降低成本。

此前,每次涂抹使用量为7-8cc,改进工艺后,用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 05-22 00:32,数据存在延时

存储原厂
三星电子55700KRW-0.36%
SK海力士200500KRW-0.74%
铠侠2173JPY-0.59%
美光科技98.560USD+0.47%
西部数据50.880USD+0.49%
闪迪40.345USD+0.41%
南亚科技43.65TWD-3.54%
华邦电子18.15TWD-2.16%
主控厂商
群联电子513TWD+1.79%
慧荣科技64.592USD-0.78%
联芸科技40.25CNY-0.86%
点序58.7TWD+2.44%
品牌/模组
江波龙75.25CNY-1.30%
希捷科技106.760USD-0.20%
宜鼎国际245.5TWD+0.20%
创见资讯105.5TWD+1.93%
威刚科技93.0TWD+0.32%
世迈科技18.635USD-1.14%
朗科科技23.69CNY-4.24%
佰维存储60.09CNY-2.36%
德明利116.54CNY-1.50%
大为股份14.44CNY-1.77%
封测厂商
华泰电子37.10TWD+1.64%
力成118.5TWD+1.72%
长电科技33.07CNY-0.81%
日月光144.5TWD+0.35%
通富微电24.27CNY-0.98%
华天科技9.13CNY-0.98%