编辑:Andy 发布:2024-11-27 11:46
据韩媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门首席技术官Song Jae-hyuk近日对一直处于低迷状态的公司股价表示信心,称“只需一年即可恢复”。他还强调,下一代 DRAM 和 NAND 闪存技术的开发正在按照今年制定的时间表顺利进行。
Song Jae-hyuk表示,下一代产品 10 纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中。随着DRAM电路的线宽低于10nm,现有结构面临小型化限制,需要新结构(VCT)和基础技术来实现它们。特别是在小于10nm范围内,显著特征是存储数据的单元是垂直堆叠的。三星电子目前正在积极发展的“低温结”和“键合”技术是新结构所需的代表性技术。这两种技术都正在按照今年制定的时间表进行开发。
对于下一代NAND闪存技术,Song Jae-hyuk也充满信心,下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。在NAND领域,技术竞争的关键是垂直堆叠单元以提高有限面积内的容量密度。
存储原厂 |
三星电子 | 97900 | KRW | +0.20% |
SK海力士 | 465500 | KRW | +2.87% |
铠侠 | 6560 | JPY | -4.65% |
美光科技 | 202.530 | USD | +5.52% |
西部数据 | 125.920 | USD | +4.55% |
闪迪 | 144.270 | USD | -0.02% |
南亚科技 | 104.0 | TWD | +9.59% |
华邦电子 | 43.95 | TWD | -0.11% |
主控厂商 |
群联电子 | 850 | TWD | -1.16% |
慧荣科技 | 92.360 | USD | -0.31% |
联芸科技 | 57.10 | CNY | -3.35% |
点序 | 83.7 | TWD | -2.67% |
品牌/模组 |
江波龙 | 177.90 | CNY | -2.05% |
希捷科技 | 226.030 | USD | +3.03% |
宜鼎国际 | 413.0 | TWD | -3.50% |
创见资讯 | 133.0 | TWD | -4.66% |
威刚科技 | 188.0 | TWD | -0.27% |
世迈科技 | 22.490 | USD | -0.71% |
朗科科技 | 28.73 | CNY | -2.68% |
佰维存储 | 104.40 | CNY | -8.06% |
德明利 | 183.03 | CNY | -6.84% |
大为股份 | 20.28 | CNY | -2.87% |
封测厂商 |
华泰电子 | 46.80 | TWD | -1.78% |
力成 | 153.5 | TWD | -1.60% |
长电科技 | 39.50 | CNY | -5.32% |
日月光 | 196.0 | TWD | +2.35% |
通富微电 | 38.77 | CNY | -9.46% |
华天科技 | 12.96 | CNY | +10.02% |
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