三星电子：下一代 DRAM和NAND闪存开发已步入正轨

据韩媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官Song Jae-hyuk近日对一直处于低迷状态的公司股价表示信心，称“只需一年即可恢复”。他还强调，下一代 DRAM 和 NAND 闪存技术的开发正在按照今年制定的时间表顺利进行。

Song Jae-hyuk表示，下一代产品 10 纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中。随着DRAM电路的线宽低于10nm，现有结构面临小型化限制，需要新结构（VCT）和基础技术来实现它们。特别是在小于10nm范围内，显著特征是存储数据的单元是垂直堆叠的。三星电子目前正在​​积极发展的“低温结”和“键合”技术是新结构所需的代表性技术。这两种技术都正在按照今年制定的时间表进行开发。

对于下一代NAND闪存技术，Song Jae-hyuk也充满信心，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。在NAND领域，技术竞争的关键是垂直堆叠单元以提高有限面积内的容量密度。