消息称三星拟缩减1z DRAM产线

据韩国业内人士近日透露，三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。

三星电子平泽P2工厂自2020年下半年以来开始运营，其中DRAM产线主要生产1z DRAM（第三代10纳米级DRAM），目前其产量已大幅减少。因此，三星电子开始准备将P2 1z DRAM转换为1b或更尖端DRAM的生产基地。

其中，1b DRAM 是最新一代商用 DRAM，三星电子已完成了1b DRAM的内部质量测试，并已开始建设量产1b DRAM的设施。考虑到除了P2、P3以及华城15和16线之外，三星还在对1b DRAM进行改造投资，预计到明年初三星电子1b DRAM产能将达每月10万片。 

此外，三星电子还计划投资“下一代 DRAM”。消息称，P2工厂将部分1z DRAM转换为1b DRAM制程，剩余部分则转换为1c（第6代）或1d（第7代）DRAM。据业界人士透露，P2转换投资的生产线配置设计预计将在今年第四季度完成，相关设施的订单将于明年下达。

三星电子正在考虑的P2工厂设备投资转换计划可能会根据最先进DRAM的开发情况而有所变化。此前，三星电子已经制定了年内量产1c DRAM的计划，并准备在下半年建设第一条生产线。

相对于三星电子1c DRAM的开发进度仍存在不确定性，SK海力士已于今年8月底宣布成功开发采用1c工艺的16Gb DDR5 DRAM，并将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品。

据悉，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，并在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。SK海力士在1c工艺上还进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。