编辑:Andy 发布:2024-09-27 11:28
据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM,三星电子引入这一额外选择流程的主要原因是为客户提供定制化HBM,同时还能提高良率和生产速度。
HBM通过垂直堆叠DRAM制造而成。在前工序中制作DRAM晶圆时,会经过将其切割成芯片的过程,然后进行键合以堆叠芯片。在这两个过程之间引入新设备,在电特性测试(EDS)后根据芯片性能将DRAM芯片分为最多三个级别:S级、A级、B级。
由于HBM规格可以细分,因此可以为NVIDIA等优先考虑性能的公司提供S级HBM,为对价格敏感的客户提供B级HBM。
此前,芯片筛选和堆叠工作是在键合设备内完成的。即使芯片是由同一片晶圆制成的,键合设备也会堆叠符合良好质量标准的芯片,并过滤掉不符合良好质量标准的芯片,并将其被丢弃。在这种情况下,即使是合格的芯片,由于质量不一,实际上也不可能制造出性能最高的HBM,性能较低的芯片则全部被丢弃。
新设备在提高良率和生产速度方面也很有效。新设备能够将精选的芯片垂直安装在载体上,因此在切割过程中产生的颗粒可以被轻松去除,这些颗粒是降低DRAM堆叠良率的主要原因;芯片筛选和异物去除分别进行,由此可以提高键合工艺的速度。此前由于担心在键合机内出现异物,放置和堆叠芯片的工艺不得不相对缓慢地进行,但新设备解决了这一问题。
预计新设备将于明年交付给三星电子,新工艺将逐步导入。
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
美光科技 | 76.950 | USD | +0.09% |
西部数据 | 43.860 | USD | +7.98% |
闪迪 | 32.110 | USD | -2.52% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 49.500 | USD | +9.61% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 91.030 | USD | +11.56% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 17.070 | USD | +0.77% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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