各家原厂200层以上NAND供应增加，三星电子多领域导入V8 NAND

今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展：

· 三星236层V8 TLC NAND产能放量增长，同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产；

· SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash；

· 铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入，采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样；

· 美光量产276层G9 TLC NAND，并已在面向客户端OEM的SSD中采用。

来源：CFM闪存市场

其中，三星第八代V-NAND于2022年11月开始量产，为存储密度达1Tb的TLC 3D NAND闪存芯片，层数达到236层，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。目前，三星的V8在存储卡、车载、PC领域均已陆续部署，手机终端目前V8在加速导入认证；服务器领域因其认证耗时更长，大规模应用仍需时日。具体来看：

PC领域：9月19日，三星电子宣布已开始批量生产PCIe 5.0 NVMe SSD：PM9E1，采用自研5nm 控制器和第八代V-NAND，可提供强大的性能和增强的能效，使其成为AI PC的最佳解决方案；2023年9月6日，三星推出990 PRO系列4TB PCIe 4.0 SSD，同样采用第8代V-NAND技术和三星自研主控；

车载领域：9月24日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD，与前代产品AM991相比，能效提高约50%；

存储卡领域：7月31日，三星电子推出1TB大容量microSD存储卡PRO Plus和EVO Plus，均采用三星第八代 V-NAND，升级28nm制程。