Lam Research推出低温蚀刻新技术，为1000层3D NAND铺平道路

Lam Research推出Lam Cryo™ 3.0，这是该司经过生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术，为其客户迈向 1,000 层 3D NAND 铺平道路。随着生成人工智能的普及继续推动对具有更高容量和性能的存储需求，Lam Cryo 3.0 提供了制造未来尖端3D NAND的关键蚀刻能力。利用超低温度、高功率受限等离子反应器技术和表面化学创新，Lam Cryo 3.0 以业界领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。

据Lam Research介绍，目前已经有500万片晶圆使用 Lam 低温蚀刻技术制造，是3D NAND生产领域的一次突破。新技术能够以埃级精度创建高纵横比 (HAR) 特征，同时降低对环境的影响，蚀刻速率是传统介电工艺的两倍以上。Lam Cryo 3.0 已面向领先的存储制造商推出。

到目前为止，3D NAND主要通过堆叠垂直存储单元层来取得进展，这可以通过蚀刻深而窄的 HAR存储通道来实现。这些特征与目标轮廓的轻微原子级偏差会对芯片的电气性能产生负面影响，并可能影响产量。Lam Cryo 3.0 经过优化，可解决这些和其他蚀刻挑战。

业界最先进的低温蚀刻技术

Lam Cryo 3.0 采用该公司独特的高功率受限等离子反应器、工艺改进和远低于 -0℃的温度，从而可以利用新的蚀刻化学成分。当与 Lam 最新的Vantex® 介电系统的可扩展脉冲等离子技术相结合时，蚀刻深度和轮廓控制显著提高。使用 Lam Cryo 3.0 技术，3D NAND 制造商可以蚀刻深度高达 10 微米的存储通道，特征关键尺寸从顶部到底部的偏差小于 0.1%。

其他亮点包括：

卓越的生产效率：与传统电介质工艺相比，Lam Cryo 3.0的蚀刻速度提高了2.5倍，具有更好的晶圆间重复性，可帮助3D NAND制造商以更低的成本实现高产量。

更高的可持续性：与传统蚀刻工艺相比，Lam Cryo 可将每片晶圆的能耗降低 40%，排放量减少高达 90%。

最大化设备投资：为了实现最佳轮廓控制和最快、最深的电介质蚀刻，Lam Cryo 3.0 可以集成到 Lam 最新的 Vantex 系统中。它还与该司的Flex® HAR 电介质蚀刻机产品组合兼容，所有主要存储制造商都使用该产品进行3D NAND批量生产。