编辑:Andy 发布:2024-08-01 10:45
据韩媒etnews报道,业内人士透露,SK海力士已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。
据了解,SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说,即采用“晶圆到晶圆(W2W)”技术,该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。
到目前为止,SK海力士一直在同一块晶圆上实现存储NAND闪存数据的“单元(cell)”区域和驱动这些单元的电路区域“外围电路(periphery, 或称peri)”。通过采用混合键合技术,可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步,这有助于在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。
将存储单元(cell)堆叠在外围电路(periphery)之上的结构被称为“Peri-Under-Cell (PUC)”。这就像高层复合公寓,其中底层是商铺(periphery),上面是住宅区(cell)。
三星电子也采用了类似的结构来实现其NAND Flash,称为“Cell-On-Peri (COP)”。根据存储单元是一次性堆叠还是分两次堆叠,分为“单堆叠(single-stack)”和“双堆叠(double-stack)”。
然而,随着NAND单元数量的增加,将periphery放置在cell下方面临着限制。这是因为cell在堆叠过程中无法承受高温和高压导致被损坏。
克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和periphery,然后重新连接两个晶圆来生产NAND的方法。在这种情况下,cell可以堆叠超过400层,并且可以单独制造驱动单元的晶圆,从而稳定地增加NAND层数。鉴于这些优势,SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。
对该NAND闪存产品的生产,SK海力士表示,“公司对技术研发或量产时期的具体计划无法评论。”
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 98800 | KRW | +2.38% |
| SK海力士 | 510000 | KRW | +6.58% |
| 铠侠 | 8780 | JPY | +19.13% |
| 美光科技 | 219.020 | USD | +5.96% |
| 西部数据 | 129.430 | USD | +2.95% |
| 闪迪 | 186.160 | USD | +11.44% |
| 南亚科技 | 109.5 | TWD | -0.45% |
| 华邦电子 | 46.30 | TWD | +1.87% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 880 | TWD | +1.27% |
| 慧荣科技 | 99.130 | USD | +4.31% |
| 联芸科技 | 61.14 | CNY | +13.22% |
| 点序 | 79.5 | TWD | +2.19% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 222.00 | CNY | +16.73% |
| 希捷科技 | 234.120 | USD | +3.41% |
| 宜鼎国际 | 426.5 | TWD | +1.31% |
| 创见资讯 | 131.0 | TWD | +0.38% |
| 威刚科技 | 186.5 | TWD | +3.04% |
| 世迈科技 | 22.400 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 33.18 | CNY | +8.93% |
| 佰维存储 | 119.10 | CNY | +10.70% |
| 德明利 | 216.92 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 23.25 | CNY | +9.98% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.05 | TWD | -1.77% |
| 力成 | 150.0 | TWD | -0.99% |
| 长电科技 | 40.95 | CNY | +2.81% |
| 日月光 | 196.0 | TWD | +1.55% |
| 通富微电 | 41.88 | CNY | +5.46% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | +1.36% |
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