编辑:Andy 发布:2024-08-01 10:45
据韩媒etnews报道,业内人士透露,SK海力士已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。
据了解,SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说,即采用“晶圆到晶圆(W2W)”技术,该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。
到目前为止,SK海力士一直在同一块晶圆上实现存储NAND闪存数据的“单元(cell)”区域和驱动这些单元的电路区域“外围电路(periphery, 或称peri)”。通过采用混合键合技术,可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步,这有助于在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。
将存储单元(cell)堆叠在外围电路(periphery)之上的结构被称为“Peri-Under-Cell (PUC)”。这就像高层复合公寓,其中底层是商铺(periphery),上面是住宅区(cell)。
三星电子也采用了类似的结构来实现其NAND Flash,称为“Cell-On-Peri (COP)”。根据存储单元是一次性堆叠还是分两次堆叠,分为“单堆叠(single-stack)”和“双堆叠(double-stack)”。
然而,随着NAND单元数量的增加,将periphery放置在cell下方面临着限制。这是因为cell在堆叠过程中无法承受高温和高压导致被损坏。
克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和periphery,然后重新连接两个晶圆来生产NAND的方法。在这种情况下,cell可以堆叠超过400层,并且可以单独制造驱动单元的晶圆,从而稳定地增加NAND层数。鉴于这些优势,SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。
对该NAND闪存产品的生产,SK海力士表示,“公司对技术研发或量产时期的具体计划无法评论。”
存储原厂 |
三星电子 | 62600 | KRW | +2.62% |
SK海力士 | 294500 | KRW | -0.84% |
铠侠 | 2488 | JPY | -2.70% |
美光科技 | 124.530 | USD | +1.15% |
西部数据 | 66.140 | USD | +1.66% |
闪迪 | 46.090 | USD | -1.83% |
南亚科技 | 42.95 | TWD | -8.91% |
华邦电子 | 18.45 | TWD | -0.27% |
主控厂商 |
群联电子 | 492.0 | TWD | -0.20% |
慧荣科技 | 73.470 | USD | -1.82% |
联芸科技 | 40.64 | CNY | +0.40% |
点序 | 51.9 | TWD | +0.97% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.59 | CNY | +1.32% |
希捷科技 | 147.180 | USD | +1.85% |
宜鼎国际 | 239.0 | TWD | -1.24% |
创见资讯 | 96.8 | TWD | -0.10% |
威刚科技 | 94.7 | TWD | 0.00% |
世迈科技 | 24.100 | USD | +1.13% |
朗科科技 | 23.73 | CNY | +1.80% |
佰维存储 | 66.77 | CNY | +1.61% |
德明利 | 81.10 | CNY | -2.41% |
大为股份 | 17.43 | CNY | -0.80% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 136.0 | TWD | +0.37% |
长电科技 | 33.51 | CNY | +1.30% |
日月光 | 150.0 | TWD | 0.00% |
通富微电 | 25.48 | CNY | +2.29% |
华天科技 | 9.93 | CNY | +1.64% |
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