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闪迪宣布，为其在今年早些时候提出的 HBF 高带宽闪存概念成立技术顾问委员会，该委员会由闪迪内部和外部的行业专家与高级技术人才组成。

闪迪提出的HBF（高带宽闪存）是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。

此前，闪迪已宣布三代 HBF 开发计划，表明对该技术的长期承诺。

HBF 的核心技术特点：

HBF 使用硅通孔（TSV）技术堆叠了 16 个 3D NAND BiCS8 芯片，并配备一个逻辑层，能够并行访问存储器子阵列，这种设计使得每个堆栈的容量可比当前的 HBM 实现高出 8 到 16 倍。

使用八个 HBF 堆栈的系统可以提供高达 4TB 的 VRAM，足以将大型 AI 模型（如 GPT-4）直接存储在 GPU 硬件上，这种高容量特性使得 HBF 特别适合存储和运行大规模 AI 模型。

HBF 打破了传统的 NAND 设计，实现了独立访问的存储器子阵列，超越了传统的多平面方法，这种设计提高了存储器的并行访问能力，从而提升了带宽和吞吐量。

HBF延迟高于DRAM，因此更适合读取密集型的AI推理任务，而不是延迟敏感型应用。目前，SanDisk 尚未公布 HBF 的具体带宽数据。