imec使用High-NA EUV实现逻辑和DRAM电路突破

比利时微电子研究中心(imec) 宣布，其与ASML的联合实验室在电脑芯片制造方面取得多项突破。

据imec介绍，使用 imec 及其合作伙伴在 imec 高级图案化计划框架内针对High-NA EUV优化的材料和基线工艺，已成功单次印刷出逻辑芯片和DRAM电路，其尺寸等于或小于目前商业生产中最先进的电路。值得注意的是，imec还成功地利用单次曝光对集成了存储节点着陆垫和 DRAM 位线外围的设计进行了图案化，这一成就凸显了High-NA EUV技术通过一次曝光取代多层掩模需求的潜力。

这一进展表明，芯片制造商能够按照计划在未来几年内使用ASML最新设备制造出更小、运算速度更快的芯片。

imec CEO Luc Van den hove表示，High-NA EUV 对逻辑和存储技术尺寸缩放发挥重要作用。

据悉，英特尔将采购首批两台High-NA EUV光刻机，第三台预估将于今年晚些时候交付给台积电。