这一进展表明，芯片制造商能够按照计划在未来几年内使用ASML最新设备制造出更小、运算速度更快的芯片。

SUMCO指出，随着客户产量增加，12吋硅晶圆在Q1(1-3月)触底，Q2(4-6月)期间、逻辑/存储用出货量转趋复苏；但8吋以下硅晶圆出货持续低迷。

新产品方面，预估今年用于HBM、GPU与16nm以下的12吋晶圆，今年相关业绩是去年的2倍以上，相较过去大幅成长，也看好相关高阶产品明年市占率会进一步提升。

三星电子官员表示：“正如我们上个月在电话会议中所说的那样，质量测试一直在进行中，而且从那时起就没有任何变化。”

根据诉状，三星电子制造智能手机微处理器和存储芯片的方法侵犯了哈佛大学教授罗伊·戈登发明的两项专利。

得益于优化的光路，该系统仅使用 20W 的 EUV 光源运行，总功耗不到 100kW。相比之下，传统的 EUV 光刻系统通常需要超过 1MW 的功率。由于功耗较低，新的光刻系统不需要复杂且昂贵的冷却系统。

价格更正：本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元，与上月持平。

业界认为，如果美国收紧出口管制，将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND，提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行，几乎不占用主机处理和内存资源。