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西部数据否认专利侵权指控,并表示强烈反对判决结果,计划通过庭审后动议对判决结果提出上诉。

受行业周期好转的影响,10月前20天韩国半导体出口激增36.1%,达71亿美元。半导体出口占同期韩国出口总额的21.7%,比去年同期增长6.2个百分点。

三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器,与上一代产品相比,带宽提高10%,延迟降低20%。

9月集成电路产量367亿块,同比增长17.9%,环比减少1.6%,累计1-9月产量为3156亿块,同比增长26.0%。

该系列产品读取速度可达1050MB/s,写入速度可达1000MB/s, 采用USB 3.2 Gen 2 10Gbps Type-C接口,并拥有500GB、1TB和2TB三种容量可选。

据外媒报道,英特尔本周拟将其持有的 Altera 的多数股权出售给多家私募股权基金和战略投资者。

受惠生成式AI需求旺,晶圆切割机大厂DISCO 7-9月营收、净利润创同期历史新高,出货额创单季历史次高纪录,且本季(2024年10-12月)净利润有望大增、出货额将逼近历史新高。

消息人士透露,SK海力士正在削减其CMOS图像传感器(CIS)研发投入,产能预计较去年减少一半以上,至每月不足7000片12英寸晶圆。此外,负责设计存储控制器等的片上系统(SoC)设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。

在硬件成本攀升的影响下,预计年底旗舰新机将集体迎来涨价浪潮,部分高端机型入门价格将达到4000至5000元,高配版本甚至突破5500元,这将考验手机厂商的市场策略和消费者的购买力,国产品牌如小米、vivo和OPPO等将如何应对则成为市场关注的焦点。

台积电董事长暨总裁魏哲家预估,今年美元计价营收将同比增长近30%,较前一次预期的24~26%区间持续上修,主要动能来自技术领先及强劲的AI需求。

24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术,在相同封装尺寸下提高了电池集成度,与之前的产品相比,容量增加了50%;通过脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,使其速度在图形DRAM中达到40Gbps,根据使用环境的不同,...

韩国财政部最新表示,韩国政府将在明年之前为半导体行业提供价值8.8万亿韩元(约合64.7亿美元)的低息贷款和其他支持,以增强先进行业的竞争力。

9月份日本半导体等制造设备出口额较去年同月大增26.3%,其中,日本对中国的半导体等制造设备出口额较去年同月大增16.8%。

据业界消息,三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关,1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。

ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示,在逻辑芯片方面,竞争激烈的代工厂动态导致某些客户的新节点增长放缓,导致几家工厂停工,并导致光刻需求时间发生变化,尤其是EUV。在存储芯片方面,我们看到产能增加有限,重点仍然是支持HBM和DDR5等AI相关需求的技术转型。

股市快讯 更新于: 11-03 20:26,数据存在延时

存储原厂
三星电子111100KRW+3.35%
SK海力士620000KRW+10.91%
铠侠10825JPY-0.69%
美光科技223.770USD-0.11%
西部数据150.210USD+8.75%
闪迪199.330USD+1.79%
南亚科技137.0TWD+3.40%
华邦电子56.6TWD+4.43%
主控厂商
群联电子1110TWD+4.23%
慧荣科技98.110USD-1.85%
联芸科技57.23CNY+0.09%
点序78.7TWD+0.13%
品牌/模组
江波龙278.99CNY+6.77%
希捷科技255.880USD-4.64%
宜鼎国际435.0TWD+0.93%
创见资讯133.0TWD+0.38%
威刚科技194.5TWD-1.77%
世迈科技22.270USD-0.76%
朗科科技30.62CNY+0.56%
佰维存储134.30CNY+2.52%
德明利238.00CNY+4.28%
大为股份27.40CNY-2.21%
封测厂商
华泰电子50.6TWD+4.12%
力成173.0TWD0.00%
长电科技39.45CNY-1.42%
日月光246.0TWD-0.61%
通富微电41.74CNY-1.67%
华天科技12.25CNY+1.58%