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Xockets在诉状中明确指出,英伟达的三款特定DPU产品使用了Xockets的技术,并且是故意为之。

台积电将在2027年推出其2.5D CoWoS技术,该技术将集成8颗A16工艺芯片和12颗HBM4内存。这项技术的应用将大幅降低AI处理器的生产成本,同时为工程师提供更高的便利性,使他们能够将新的代码写入芯片。

据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

因中国大陆地区销售大幅增长,带动2024年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长4%,达267.8亿美元,较第一季度的264.2亿美元微增1%。

南亚科技预计2025年底,1B制程月产能将超过20K片,而20nm旧制程月产能将下降至约36K片,1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务,并与广泛的生态系统合作伙伴一起,满足客户的不同需求。

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器(HBM3E),并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

近日有消息称,英特尔公司最新的18A制造工艺在博通公司的测试中未能达标。据悉,博通在测试后认为英特尔的这一工艺尚不可行,无法满足大批量生产的条件。目前,双方的合作关系及博通是否决定退出潜在的生产交易尚不明确。

据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。

按地区来看,美洲(40.1%)、中国(19.5%)和亚太/所有其他地区(16.7%)的销售额同比上涨,但日本(-0.8%)和欧洲(-12.0%)的销售额下降。

加入AMD后,Keith Strier将负责扩展公司的AI愿景,推动新的生态系统能力,并加速全球公共和私营部门的战略 AI 合作,他将向AMD执行副总裁兼首席技术官 Mark Papermaster汇报工作。

SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术,在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术,并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。

消息面上,美国8月ISM制造业指数和Markit制造业PMI数据均不及预期,显示制造业仍在收缩区间,加剧了市场对经济放缓的担忧。数据公布后,市场对美联储9月降息的预期升温,但降息幅度的预期有所变化,降息50个基点的可能性从30%提升至39%,而降息25个基点的概率回落至61%。

股市快讯 更新于: 07-18 08:13,数据存在延时

存储原厂
三星电子66700KRW+3.09%
SK海力士269500KRW-8.95%
铠侠2414JPY-1.55%
美光科技113.260USD-2.72%
西部数据67.020USD+0.74%
闪迪41.520USD+0.39%
南亚科技43.10TWD+4.11%
华邦电子17.90TWD+1.42%
主控厂商
群联电子510TWD+1.19%
慧荣科技73.160USD+2.55%
联芸科技41.60CNY-0.07%
点序54.2TWD+3.44%
品牌/模组
江波龙83.22CNY-0.06%
希捷科技146.720USD-0.27%
宜鼎国际231.0TWD+0.65%
创见资讯91.8TWD+0.33%
威刚科技93.4TWD+1.85%
世迈科技24.880USD+1.02%
朗科科技23.83CNY+1.32%
佰维存储64.77CNY+0.72%
德明利83.67CNY+0.13%
大为股份17.29CNY+0.88%
封测厂商
华泰电子38.25TWD+1.06%
力成139.5TWD+0.72%
长电科技33.96CNY+1.10%
日月光151.5TWD+0.33%
通富微电26.05CNY+0.54%
华天科技9.92CNY+0.30%