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消息称SK海力士考虑引进ASML High NA EUV设备

编辑:Andy 发布:2024-11-15 14:40

据路透社报道,SK海力士技术长Seon-yong Cha 14日在荷兰举行的ASML投资人日上通过预录影片表示,正考虑引进造价4亿美元的High NA EUV光刻设备,生产下一代存储芯片。

此前曾有报道称,SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术,首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进。目前其具体计划,如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露,但预计最早可应用于0a(个位数纳米级)DRAM产品的量产。

High-NA EUV通过进一步提高 EUV 的性能来瞄准 2 纳米工艺。NA是镜头像差,数值越高,分辨率越好。现有EUV的镜头像差为0.33,High-NA EUV的镜头像差更高,为0.55。ASML的首款High-NA EUV 设备“EXE:5000”型号已知售价为3.8亿美元。目前英特尔和台积电均已下单该设备。

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股市快讯 更新于: 06-22 20:44,数据存在延时

存储原厂
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