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韩国9月半导体出口额为136亿美元,同比大增37.1%,连续11个月保持增势,且时隔三个月再创新高,打消了“半导体寒冬”的担忧。

TEL在其8月最新财测中,将2024年度合并营收上调至2.3万亿日圆的新高,同比增长25.6%。其中,AI芯片相关设备的销售成长,例如AI服务器芯片所需的HBM的设备需求增加,是其上调财测的重要因素。

适逢国庆假期,按国家规定放假7天,即10月1-7日放假,放假期间暂停所有产品报价,10月8日(星期二)恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

由于纳米压印技术需使用软性材质的光刻胶材料,适合使用在规则性结构如DRAM和NAND FLASH,而逻辑芯片只有少部分的结构可以使用,因此纳米压印技术仍无法完全取代EUV微缩技术。

预计今年300mm晶圆厂设备支出将增长4%至 993 亿美元,并在 2025 年进一步增长 24% 至 1232 亿美元,首次超过 1000 亿美元。预计 2026 年支出将增长 11% 至 1362 亿美元,随后在 2027 年增长 3% 至 1408 亿美元。2025-2027年合计将支出超4000亿美元。

力积电将协助塔塔电子于印度古吉拉特邦(Gujarat)多雷拉(Dholera)建设全印度第一座12吋晶圆厂,并移转成熟制程技术以及培训印度员工。

由于订单不足,韶关朗正自成立以来营业收入较少并持续亏损,且朗科科技与合资方创芯源在韶关朗正的经营和出资事项上出现分歧,为了切实维护朗科科技及全体股东的利益,朗科科技结合行业发展状况,决定关停韶关朗正。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。

性能方面,990 EVO Plus系列连续读取速度高达7250 兆字节/秒 (MB/s),写入速度高达 6300MB/s,比上一代 990 EVO 提升高达 50%。

SK海力士表示,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。

8月包括出口在内的日本芯片制造设备销售额较前一个月增长了0.9%(2024年7月的最终值是3,480.92亿日元),与去年同期相比增长了22.0%(2023年8月为2,878.21亿日元),达3,510.58亿日元(约合24.4亿美元)。

今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

最新消息称,铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后,主因近期全球半导体类股表现疲弱,股价出现较大幅度下跌,铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。

三星计划推出128GB-2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。

股市快讯 更新于: 05-06 06:00,数据存在延时

存储原厂
三星电子54300KRW-2.16%
SK海力士186000KRW+4.79%
铠侠1825JPY-0.44%
美光科技80.420USD-0.37%
西部数据45.030USD+0.76%
闪迪34.610USD+0.61%
南亚科34.25TWD-3.93%
华邦电子15.45TWD-3.13%
主控厂商
群联电子437.0TWD-3.85%
慧荣科技52.700USD-1.51%
联芸科技41.35CNY+1.95%
点序52.1TWD-5.27%
国科微68.93CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙77.91CNY+3.33%
希捷科技93.580USD+0.55%
宜鼎国际222.5TWD-6.71%
创见资讯99.2TWD-2.27%
威刚科技82.9TWD-3.27%
世迈科技17.230USD-1.26%
朗科科技25.09CNY+4.24%
佰维存储62.33CNY+1.32%
德明利127.50CNY+0.73%
大为股份14.18CNY+2.09%
封测厂商
华泰电子30.80TWD-4.05%
力成105.5TWD-3.21%
长电科技33.43CNY+1.24%
日月光134.0TWD-3.60%
通富微电25.62CNY+0.99%
华天科技9.28CNY-5.31%