韩媒：SK海力士LPDDR5X加快导入1c工艺，有望明年上半年大规模出货

日前曾有消息称，英伟达已取消其第一代SOCAMM（系统级芯片附加内存模块）的推广，并将开发重点转向搭载LPDDR5X的SOCAMM2。

据韩媒dealsite最新报道，三星电子、SK海力士和美光都获得了相近规模的LPDDR5X订单量。据Meritz证券近期报告，英伟达将明年SOCAMM2所需的LPDDR5X订单分配如下：三星电子100亿Gb、SK海力士110亿Gb、美光70亿Gb(去年为50亿Gb)。

此前在SOCAMM1阶段，美光最早被选为供应商，拿下了大部分订单。但随着转向SOCAMM2，美光占据优势的格局被打破，重新形成了三足鼎立的局面。

随着订单具体化，三大存储厂商都在加速SOCAMM2所用LPDDR5X的量产进程。值得注意的是，一直以1b工艺为主力的SK海力士和美光正试图抢先导入1c工艺。而目前在1c工艺上最领先的三星电子，反而将产能集中应用于HBM4。

Meritz证券称，SOCAMM的核心是成本竞争力，因此1c纳米工艺的应用与否最为关键，三星电子计划将1c纳米工艺产能全部分配给HBM，并逐步扩大应用到SOCAMM等领域。该机构认为，SK海力士和美光希望通过转向1c工艺来降低成本。

SK海力士计划最早从年底开始转向1c LPDDR5X的量产体系，这距离今年上半年成功开发该技术仅半年时间。半导体业界人士表示，有消息称SK海力士计划从明年上半年开始大规模出货。

分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

此外，SK海力士LPDDR6也同样正基于1c工艺开发中。但考虑到其发布时间，预计难以立即对SOCAMM的销售额做出贡献。

上述相关人士表示，SK海力士目标是明年上半年完成1c LPDDR6的开发并立即转入量产，由于商业化时间较晚，可能只能瞄准2027年发布的Rubin Ultra的SOCAMM模块进行搭载。目前看来，SK海力士的1c LPDDR6很可能主要面向智能手机市场销售。SK海力士目前大部分LPDDR产能供应给中国智能手机厂商。

美光方面，此前在SOCAMM1阶段凭借1β工艺LPDDR5X确保了供应优势，但在SOCAMM2阶段，其新开发的1γ工艺产品被采纳的可能性很高。据美光介绍，1γ  LPDDR5X可实现每秒10.7 Gb的数据处理速度，并能降低最高20%的功耗。与上一代相比，语音翻译速度提升超过50%，评价认为有利于提升AI性能。