英伟达正式宣布在其下一代产品中搭载HBM4， AI芯片发布周期也有望从现有的两年加速到一年，将引发HBM开发速度的竞争。

消息还称，今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。

与 NAND 一样，MARM 即使在电源关闭时也能保留数据，并且具有比 NAND 写入数据快约 1,000 倍且功耗更低的优点。未来汽车行业的需求预计将增加。

韩国国内半导体材料公司ENF Technology利用自有技术开发出钛蚀刻剂（Ti etchant），并已开始向全球最大的HBM制造商供应。

与第一代相比，第二代NORD平台采用更先进的制造工艺，芯片尺寸可减少约1/3，为应用设备的迷你化和便携化提供极大限度的紧凑型设计自由。

全新 Trident Z5 Royal 系列 DDR5 内存套件支持最新的英特尔 XMP 3.0 内存超频配置文件，可通过主板 BIOS 轻松实现内存超频，将于 2024 年 5 月下旬推出。

SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品，并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4（第六代）计划于明年下半年推出，16 层版本预计将于 2026 年投入生产。

在本季度合约价格谈判当中，以互联网为代表的服务器应用客户由于积极推动AI服务器建设，需求表现相对积极，尤其对DDR5和HBM需求激增。CFM消息，部分互联网厂商今年AI服务器建设规划台数达到其总规划台数的将近10%。

兆易创新近日在投资者平台回答投资者提问时表示，其DRAM产品产能正常，预计2024年采购DRAM代工金额约8.5亿人民币，2023全年兆易创新分别花费4.05亿元和3.62亿元，采购长鑫存储的DRAM产品，及其代工的DRAM产品。

2024年5月16日，Dreamtech宣布正式进入半导体模块业务，旨在为全球顶级存储公司提供DRAM模块和SSD等产品。公司计划在印度诺伊达工厂生产存储模块，并预计明年下半年实现年销售额1000亿韩元（约合七千四百万美元）。

奥罗斯特科技宣布向三星电子供应用于HBM的新型PAD Overlay测量设备，合同规模达48亿韩元。该设备将用于HBM制造过程中的PAD工序测量，以提高下一代HBM的产量。

3D NAND Flash新品，目前则在最后制程调整阶段，主要出货给任天堂游戏片使用，预期今年下半年完成送样，并在明年下半年开始挹注收益。

业界预测，DSA技术将从使用High-NA EUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。

东芯股份5月9日晚间公告，为进一步提升公司核心竞争力和持续发展能力，丰富公司产品线，推进公司战略实施，公司拟通过自有资金或超募资金向砺算科技（上海）有限公司以增资的方式取得该公司约40%的股权，投资金额预计不超过2亿元。

适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即5月1日-5月5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日所有产品恢复报价。