LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。

据韩媒报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant（原SK建设）来优化其财务结构，此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始，Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露，SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4，目前正在研发层面进行商业可行性审查，并非立即引入和投资。

HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点，三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应，而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品，以应对市场需求。

德明利2024年半年度研发费用约为7,600万元，上年同期为4,172.86万元。

产品研发方面，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中4Gb产品进度最快，预计今年下半年进入市场，并于明年量产。

十铨认为，DDR4产品因第三季零售渠道需求看季持平，预期将维持现有价格水准，而DDR5由于原厂供给量不足，价格仍会持续微幅上扬。

新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务，以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

Moon Ki-il还表示，HBM目前主要应用于人工智能（AI）系统，但目标也将扩展到移动设备。

据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行产品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

据韩媒报道，业界人士透露，三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。

CFM消息，近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来，服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势：DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企，整体需求表现惨淡；DDR5方面，随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高，需求激增，CFM消息，今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%，DDR5 64GB及以上需求持续火热，DDR5整体呈现供不应求市况。

随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长，HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年，三星虽暂时落后，但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革，满足未来市场需求。