三星日前于2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2.5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50%以上。

11月1日，商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉一行。桑杰·梅赫罗特拉介绍了美光科技公司业务发展情况，表达了持续扩大在华投资的意愿。

三星电子西安工厂将生产多少236层的具体产能（CAPA）尚未确定。看来生产堆叠数约为 300 层的 V9 的可能性也在考虑之中。三星电子一位官员表示，NAND需求的变化很重要，目前尚未确认是否完全转换为236层。

澜起科技近期在接受调研时表示，公司保持着在内存接口芯片领域的相对领先态势。公司牵头制定DDR5RCD及MDB芯片的国际标准，研发持续领先。

镇岳510将率先在阿里云数据中心部署，可应用于AI、在线交易、大数据分析、高性能数据库、软件定义存储等业务场景。

其中，第三季度营业收入为3.86亿元，同比增长29.48%，净利润-3177.5万元，同比减少321%。

天眼查显示，日前长鑫新桥存储技术有限公司发生股权变更，股东新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司，大基金二期新增出资145.60亿元，持股比例33.15%。

SK海力士计划于明年上半年开始生产HBM3E，巩固其在AI内存市场的主导地位。SK海力士在季度财报电话会议上表示，“截至目前，不仅是HBM3，还包括HBM3E，我们明年的产能已经售罄。”

据媒体报道，SK海力士表示：“现在DRAM似乎正在好转，NAND似乎略有延迟，但我们要结合市场情况来灵活应对减产问题。预计NAND行情在明年上半年都不太容易扭转，明年6月份可能会是关卡。”

东芯半导体发布Q3业绩显示，期间营业收入为1.32亿元，同比下滑43.81%；归属上市公司股东净利润-7119.2万元，同比下滑226.13%；归属上市公司股东扣除非经常性损益的净利润-7635.2万元，同比下滑268.61%。研发投入4304.2亿元，占总营收32.73%。

旺宏表示，年底到明年初会量产的192层的NAND Flash，针对特定主要客户，营收贡献约是明年下半年，新研发的技术则是超过300层的产品；3D NOR Flash预计明年底释出sample后，营收贡献通常要再等1-2年。

据报道，终止协商原因在于合并案无法获得对铠侠间接出资的SK海力士的同意，加上西部数据与铠侠大股东贝恩资本也未能谈妥合并相关条件。SK海力士26日正式表明、反对合并案。

澜起科技宣布在业界率先试产DDR5第三子代寄存时钟驱动器芯片M88DR5RCD03，该芯片应用于DDR5 RDIMM内存模组，旨在进一步提升内存数据访问的速度及稳定性，满足新一代服务器平台对容量、带宽、访问延迟等内存性能的更高要求。

Solidigm 证实，该公司近期正在进行裁员，并称其为适度裁员，但拒绝提供更多细节。

万润科技重点布局消费级、工业级等SSD、嵌入式存储产品，部分产品已完成试产，部分产品已获得一定订单，但营业收入规模起量还需要一定时间。