据韩媒报道，证券机构预测，四季度三星电子销售额将达69.6637万亿韩元（约合533亿美元），营业利润将达3.565万亿韩元（约合27.3亿美元），而三季度该公司营业收入为67.40万亿韩元（约合519亿美元），营业利润为2.43万亿韩元（约合18.7亿美元）。

CFM分析，此波服务器市场需求增长除了四季度传统旺季效应之外，本轮存储行情开始回暖也带动了客户的拉货积极性，加上上半年市场实属惨淡，滞后的需求也开始陆续释放，导致当前市场需求表现优于此前预期。

据了解，三星电子计划将DRAM和NAND产量较今年分别扩大约24%，SK海力士计划扩大生产，重点关注 HBM 等尖端 DRAM，计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平，即去年年底前的水平。

南亚科技Q4仍维持动态减产20%以内的水准，明年整体位元出货量预计将较今年成长。

目前主流的NAND技术是V-NAND，通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而，随着V-NAND不断小型化，它已经达到了一个阶段，如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解，就很难实现创新。

旺宏董事长吴敏求针对行业景气度表示，全球经济情势不佳，明年产业景气虽然可望较今年好，但好转程度有限。其中工业及车用需求稳定，医疗可望成长。

根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图，其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布，因此，DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储产品「1γ」DRAM。此外，还计划在广岛工厂生产生成式AI用「HBM」。

大普微电子（DapuStor）PCIe 5.0 NVMe SSD产品Haishen5系列完成与Intel VMD – VROC的联合测试，通过了Intel VROC 8.0的认证。此外大普微全线PCIe 4.0 SSD也已完成认证。

CMM是CXL Memory Module的缩写，是国际半导体标准化组织JEDEC制定的基于CXL的内存规范。在三星内部，CXL 通常称为 CMM。

高品质NOR Flash市场需求已开始回温。不过，在总体经济不佳的影响下，客户库存去化时间递延，库存消耗量能低于预期，其中以大陆与日本市场的状况较为严重。

预计明年的营业利润将大幅超出市场预期，录得38.4万亿韩元（约合293.6亿美元），较今年增长378%。

今年以来兆易创新新获得专利授权40个，较去年同期减少了47.37%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4.77亿元，同比减4.07%。

十铨指出，随着供应商持续减产，DRAM及NAND Flash价格已逐步回升，未来将即时弹性调整库存水位因应，2024年营运将聚焦于扩大品牌市占率。

中国移动日前公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包2-采购包5的中标候选人，忆联、浪潮、大唐存储、海康等9家入围。