在半导体出口的强劲推动下，韩国ICT出口额已连续三个月同比增长。1月半导体出口额为94.1亿美元，同比大增53%，增幅几乎达去年12月（19.3%）的三倍。其中，存储芯片出口额（52.7亿美元）同比增加90.5%，推高ICT出口额。

适逢中国农历春节，按国家规定放假8天：2024年2月10日 - 2024年2月17日，放假期间所有产品均暂停报价，2024年2月18日恢复报价。

十铨 PD20M 磁性外置 SSD 的磁力超过 0.8 公斤，可瞬间吸附在移动设备上。使用 USB Type-C 接口，与大多数使用它的设备兼容。

理论上来说，MRAM耗电力可压低至现有存储器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且写入速度快、即使切断电源数据也不会消失，不过除了制造成本高之外，与现有存储器相比，其耐久性、可靠性等问题仍需克服，力积电计划通过量产降低MRAM成本。

迄今为止，韩美半导体仅HBM的双 TC 键合机已累计收到 1,872 亿韩元的订单，继去年下半年收到的订单为 1,012 亿韩元。

报道称，该工厂预计耗资 220 亿美元。但SK海力士表示，“我们目前正在考虑在美国进行可能的投资，但尚未做出最终决定。”

佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造，而不是更加复杂的微处理器。另外，武石洋明强调，佳能的目的不是要抢走EUV的市占，而是相信，纳米压印技术与EUV乃至其他种类的技术能够并存。

据韩媒报道，SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术，即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。

澜起科技近期投资者关系活动记录表显示，2023年第四季度，公司DDR5第二子代RCD芯片出货量较第三季度有所提升。预计2024年DDR5第二子代RCD芯片的需求将超过第一子代RCD芯片。

在1a和1b nm级DRAM产品中字线和位线应用的是金属钨，金属钼和钌的电阻率比钨更低，因此可以减少DRAM产品的线宽。

卢志远表示，今年第一季产能利用率维持不变，NOR Flash在穿戴与工控需求相对持稳，但仍有库存问题，高容量产品看2024年有机会有复苏的迹象，汽车市场目前库存仍需要一段时间才可消化，电动车的应用仍是强劲，长期看汽车仍是稳定成长。

东芯股份发布全年业绩预告，公司预计2023年1-12月业绩预亏，归属于上市公司股东的净利润为-3.30亿--2.90亿，净利润同比下降277.96%至256.39%。

德明利发布全年业绩预告，公司预计2023年1-12月业绩大幅下降，归属于上市公司股东的净利润为2400.00万-2900.00万，净利润同比下降64.28%至56.84%，预计基本每股收益为0.21至0.26元。

SK海力士25日在2023年第四季度电话会议上表示，无锡工厂最终将通过1a纳米转换实现DDR5和LPDDR5等产品的量产，并计划扩大该工厂的利用率。

据韩媒报道，韩国将把人工智能（AI）芯片中采用的高带宽存储器（HBM）技术指定为国家战略技术，并将向三星电子和SK海力士等该技术开发商提供税收优惠。