编辑:Andy 发布:2024-06-28 16:37
据韩媒报道,业内人士27日透露,三星电子最近一直在推行一项计划,以最大产量运营其整个内存生产线。三星电子转向最大产量内存生产的原因是其产能。三星电子目前内部预测,明年其传统内存产能可能会有所下降。
推动明年内存产能负增长的最大因素是“工艺转换”。三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资,并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。
DRAM方面,三星电子正在将其旗舰产品1a(第四代10纳米级)DRAM投入HBM生产。三星电子预计到今年年底将HBM 最大产能扩大到17万片/月,因此除HBM之外的1a DRAM 生产预计将变得更加紧张。
此外,三星电子还计划扩大1b DRAM(第五代 10 纳米级)的生产。为此,平泽P2和华城15号线现有的1z DRAM(第三代10纳米级)工艺将转换为1b DRAM。目标是今年确保每月约10万片的产能。
NAND Flash,自今年第一季度以来,中国西安晶圆厂一直在进行投资,将现有的 V6 NAND 工艺转换为 V8。西安NAND工厂共有两条生产线,转换是从一条生产线开始进行的。近日有消息称,西安工厂在第八代V-NAND工艺上已取得突破,已向数据中心和手机制造商提供样品进行验证。该工厂为2025年数据中心领域客户预留产能。三星表示,第八代V-NAND供应量将无法完全满足2025年市场需求,3D NAND工艺升级正推动客户向最新技术过渡。
另一方面,预计今年内存需求将超过供应。美光在其最新财报中也表示,预计2024 年 DRAM 和 NAND 的bit需求增长率将在10%左右,预计2024年DRAM和NAND bit供应将低于需求。
存储原厂 |
三星电子 | 61000 | KRW | +0.99% |
SK海力士 | 297000 | KRW | +5.69% |
铠侠 | 2557 | JPY | -5.58% |
美光科技 | 122.240 | USD | -1.75% |
西部数据 | 64.640 | USD | +0.97% |
闪迪 | 46.200 | USD | +0.06% |
南亚科技 | 47.15 | TWD | -2.58% |
华邦电子 | 18.50 | TWD | -2.37% |
主控厂商 |
群联电子 | 493.0 | TWD | +1.44% |
慧荣科技 | 74.710 | USD | +3.28% |
联芸科技 | 40.48 | CNY | +0.40% |
点序 | 51.4 | TWD | -0.19% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.53 | CNY | -1.77% |
希捷科技 | 142.010 | USD | -1.70% |
宜鼎国际 | 242.0 | TWD | -0.21% |
创见资讯 | 96.9 | TWD | -3.00% |
威刚科技 | 94.7 | TWD | -2.57% |
世迈科技 | 23.430 | USD | +10.57% |
朗科科技 | 23.31 | CNY | -1.69% |
佰维存储 | 65.71 | CNY | +1.09% |
德明利 | 83.10 | CNY | -4.25% |
大为股份 | 17.57 | CNY | -1.95% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | +0.27% |
力成 | 135.5 | TWD | -0.73% |
长电科技 | 33.08 | CNY | -0.30% |
日月光 | 150.0 | TWD | +2.39% |
通富微电 | 24.91 | CNY | -0.20% |
华天科技 | 9.77 | CNY | +0.10% |
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